Температурная зависимость - ток
Cтраница 3
Так, например, энергия активации при Д 0 для меди и цинка, по нашим данным, составляет примерно 10 и 11 ккал / молъ, в то время как по результатам Измайлова она соответственно равна - 34 и 58 ккал / молъ. Интересно отметить, что энергия активации электродного процесса в случае меди, определенная в работе Коста [66] из температурной зависимости токов обмена, также является небольшой и составляет 7 5 ккал / молъ. [31]
Для однотипных транзисторов в равенстве ( 4 - 132) преобладает второе слагаемое. В схемах с более мощным вторым транзистором оба слагаемых могут быть сравнимыми. Температурная зависимость тока / кос подчиняется общим законам. Большие значения / кос позволяют работать как при положительных, так и при отрицательных значениях тока базы составного транзистора. [32]
Здесь существенно то, что температурные зависимости омического тока и ТОПЗ различны. Таким образом, измерение температурных зависимостей тока представляет собой уникальный метод определения природы омической проводимости - является она примесной или нет. Если температурные зависимости омического тока и ТОПЗ одинаковы, омическая проводимость имеет примесную природу, если различны - непримесную. Следовательно, для получения однозначных результатов необходимо измерять токи в обоих режимах - как в омическом, так и в режиме тока, ограниченного пространственным зарядом. [33]
 |
Зависимость /, И / у ОТ температуры. [34] |
Одно измерение производится при напряжении достаточно низком, чтобы можно было пренебречь воздействием электрического поля; при этом же напряжении обычно производится измерение и при повышенной температуре. Температура устанавливается достаточно высокой, чтобы тепловой ток был большим по сравнению с током утечки. Это позволяет разработчику использовать известную температурную зависимость тока насыщения для определения поведения / бо при высокой температуре. Другое измерение делается при максимальном напряжении или вблизи от него для оценки перехода коллектор - база в предпробойном режиме; обычно это измерение производится только при комнатной температуре. [35]
Для частот v - 10 - 2 Гц прямые измерения диэлектрических потерь связаны с большими экспериментальными трудностями. При изучении молекулярной подвижности в полимерах диэлектрическим методом в частотном диапазоне 10 - 5 - 10 Гц применяют метод постоянного тока. С этой целью используют данные по температурным зависимостям термодеполяризацио-нных токов /, функции деполяризации ty и других параметров, зависящих от сквозного тока. [36]
Для детального изучения механизма релаксационных процессов, протекающих в полимерных системах, применяют разные диэлектрические методы, относящиеся к методам релаксационной спектрометрии. Для частот v lO 1 Гц прямые измерения диэлектрических потерь связаны с большими экспериментальными трудностями, поэтому при изучении молекулярной подвижности в полимерах диэлектрическим методом в частотном диапазоне 10 - 5 - 10 - 1 Гц применяют метод постоянного тока. С этой целью используют данные по температурным зависимостям термодеполяриза-ционных токов /, функции деполяризации Ч 1 и других параметров, зависящих от сквозного тока. [37]
Это противоположно случаю, когда электродная реакция необратима ( стр. Если варьировать высоту столба ртути, то ток будет про-порционален t / a вместо t, как в случае чистой диффузии [ уравнение (9.9) ]; а так как ток пропорционален также да2 / з, то он не зависит от высоты столба ртути в противоположность зависимо-ч ти от корня квадратного для случая чистой диффузии. Третий критерий заключается в том, что температурная зависимость тока составляет около 10 % на градус для случая лимитирования реакцией по сравнению с зависимостью меньше 1 % для случая лимитирования диффузией. [38]
Формула ( 52) была впервые получена Моттом и Гер ни. Из нес следует, что ток, ограниченный пространственным зарядом, пропорционален U2 и обратно пропорционален s3; обе эти зависимости имеют экспериментальное подтверждение. Эта формула предсказывает значительно большие величины токов тго сравнению с наблюдаемыми экспериментально, а также отсутствие температурной зависимости тока, что пр от и встретит наблюдениям. Эти особенности легко объясняются при рассмотрении реального диэлектрика, содержащего ловушки. [39]
Как видно из фиг. Резкое возрастание потенциала при плотности тока выше 0 8 ма / см2 сходно с явлением, наблюдаемым в твердых выпрямителях. Значение 0 8 ма / см2 не является универсальным, так как плотность тока насыщения зависит от удельного сопротивления и времени жизни неосновных носителей заряда для образца германия, используемого в качестве анода. Температурная зависимость тока насыщения через потенциальный барьер на границе между германием электронной проводимости и раствором КОН напоминает аналогичную зависимость для р-п перехода. С повышением температуры на каждые 30 С ток насыщения возрастает в 10 раз. Анодный потенциал в области насыщения чувствителен к свету, так как под действием света происходит генерация электронно-дырочных пар, которые стремятся уничтожить барьер. [40]
Термическое освобождение носителя всегда имеет место, и его можно отличить от других механизмов, проводя эксперименты при достаточно низкой температуре, когда термическое освобождение не в состоянии конкурировать с ними. Из выражения (2.4.7.01) следует, что более вероятно термическое освобождение из мелких ловушек, чем из глубоких. Ловушки могут быть заполнены либо дырками, либо электронами при помощи инжекции из подходящих контактов при низкой температуре. Затем температура по заданной программе поднимается и носители термически освобождаются, создавая характеристический ток. По температурной зависимости тока освобожденных из ловушек носителей можно определить величину Е, Этот ток называется термически стимулированным током ( ТСТ) и будет обсуждаться в гл. [41]
Страницы: 1 2 3