Температурная зависимость - фотопроводимость
Cтраница 1
Температурная зависимость фотопроводимости на СВЧ ( До -) кристаллических и аморфных слоев красителей. [1]
Температурная зависимость фотопроводимости In2Se3, легированного хромом и марганцем, показана на рис. 30, где отчетливо видно, что максимум фотопроводимости этих легированных образцов при: низкой температуре ( - 177 С), по сравнению с расположением максимума фотопроводимости при комнатной температуре, лежит при более высокой энергии, в области более коротких длин волн. [2]
Температурная зависимость фотопроводимости In2Se3, легированного хромом и марганцем, показана на рис. 30, где отчетливо видно, что максимум фотопроводимости этих легированных образцов при низкой температуре ( - 177 С), по сравнению с расположением максимума фотопроводимости при комнатной температуре, лежит при более высокой энергии, в области более коротких длин волн. [3]
 |
Спектральная зависимость фотопроводимости в комплексе пирена с тетрацианэтиленом. [4] |
Температурная зависимость коротковолновой фотопроводимости носит экспоненциальный характер, причем соответствующие энергии активации равны для комплексов с броманилом, тетрацианэтиленом и тринитробензолом 0 17, 0 20 и 0 25 эв соответственно. [5]
Температурная зависимость фотопроводимости радиационно-тер-мически обработанного полиэтилена экспоненциальна, и, подобно тому, как это было для других полимеров, термическая энергия активации фотопроводимости падает с уменьшением длины волны. Так, для / Яф ( в расчете на кТ) равно 0 19эв ( А. Здесь нужно отметить, что при углублении термообработки полимера уменьшается и термическая энергия активации темновой проводимости. Так, при переходе от образца 2 к 3 она понижается от 1 27 до 1 23 эв. [6]
Температурная зависимость фотопроводимости большинства аморфных полупроводников изменяется так, как показано на рис. 15.20. В области высоких температур ( режим I) фотопроводимость экспоненциально растет с 1 / Т, обнаруживая хорошо определенную энергию активации. Кроме того, имеется линейная зависимость от интенсивности возбуждающего света. [7]
Наличие симбатной температурной зависимости фотопроводимости привело Вартаняна [9] к выводу о том, что в создании фототока существенную роль играют носители, термически высвобождаемые в зону проводимости из ловушек, или уровней прилипания, куда они были предварительно заброшены при освещении фотопроводника. [8]
На рис. 11.281 - 11.282 приведена температурная зависимость фотопроводимости и термоэлектрического коэффициента добротности соответственно для InAs0 8P0 2 ( 1 - без гашения, 2 - с гашением. [9]
На рис. 6.4, б представлены кривые температурной зависимости удельной фотопроводимости нелегированных пленок. [10]
Здесь же будут рассмотрены такие более тесно связанные с особенностями молекулы свойства, как фоточувствительность, температурная зависимость фотопроводимости, а также свойства темнового тока. [11]
Таким образом, он содержит информацию о мелких ловушках. Ширина состояния экспоненциального хвоста, характеристическая температура Тс могут быть рассчитаны из температурной зависимости фотопроводимости ( следовательно, / z) в этой области. [13]
О механизме передачи энергии можно сказать следующее: так как энергия сродства к электрону молекулы воды ( 0 9 эв) и даже радикала ОН ( - 2 эв) недостаточна для диссоциации связи О - Н как в молекуле воды, так и в радикале ОН ( 5 эв), то кажется маловероятным участие электронов, находящихся на дне зоны проводимости, без каких-либо дополнительных эффектов. Кроме того, пока еще не обнаружено влияния температуры на выход атомарного водорода, которое можно себе представить по аналогии с температурной зависимостью фотопроводимости при наличии F-центров. Возможно, что в данном случае имеется какой-либо другой механизм передачи энергии без участия электронов в зоне проводимости, например экси-тонный. [14]
По Теренину [163], можно считать, что триплетные состояния индивидуальных молекул группируются в блоховскую орбиту, которая служит зоной проводимости. Оптические возбуждения переводят молекулы в их первое возбужденное синглетное состояние, из которого они термически вырождаются в триплетную зону проводимости. Розенберг [147] предположил, что для этого молекулы должны иметь один или несколько квантов колебательной энергии, чем можно объяснить температурную зависимость фотопроводимости. Так как блоховская орбита триплетных состояний может иметь энергию, отличную от энергии исходных триплетных состояний молекул, то нельзя рассчитывать на точное согласование энергии активации проводимости и энергии триплетного состояния. [15]
Страницы: 1 2