Температурная зависимость - магнитная восприимчивость
Cтраница 3
Для изучения структурных превращений, происходящих при переходе кристаллического и стеклообразного As2Se3 в расплав, проведено измерение температурной зависимости магнитной восприимчивости. [31]
Так как и концентрация неспаренных спинов и парамагнитный вклад, отнесенный к спину, меняются с температурой, то температурная зависимость полной магнитной восприимчивости может иметь сложный характер с наличием максимума. [32]
Наличие обменного взаимодействия в том интервале концентрации закиси железа в твердых растворах FeO-MgO, которому на изотерме магнитной восприимчивости отвечает плато, подтверждается, как нам представляется, температурной зависимостью магнитной восприимчивости этих твердых растворов. [33]
 |
Температурные зависимости магнитной восприимчивости исследованных образцов и температура перехода композиции YE CusOr - z в. [34] |
Температура перехода в сверхпроводящее состояние была определена индуктивным методом. Температурные зависимости магнитной восприимчивости исследованных образцов представлены на рис. 5.10. Из графиков видно, что переход оксидной композиции Y-Ba-Cu - О в сверхпроводящее состояние происходит при температуре 95 К независимо от технологических параметров получения оксидного порошка плазменным методом и скорее всего определяется лишь параметрами процесса спекания. Ширина температурного перехода для каждой кривой не превышает 3 К. [35]
 |
Температурные зависимости магнитной восприимчивости исследованных образцов и температура перехода композиции УВа2СизОт - ж в. [36] |
Температура перехода в сверхпроводящее состояние была определена индуктивным методом. Температурные зависимости магнитной восприимчивости исследованных образцов представлены на рис. 5.10. Из графиков видно, что переход оксидной композиции Y-Ba-Cu-O в сверхпроводящее состояние происходит при температуре 95 К независимо от технологических параметров получения оксидного порошка плазменным методом и скорее всего определяется лишь параметрами процесса спекания. Ширина температурного перехода для каждой кривой не превышает 3 К. [37]
Можно ожидать, что эти переходы будут по своей энергии и интенсивности сильно отличаться от переходов в октаэдрических и тетраэдрических комплексах. Хотя температурную зависимость магнитной восприимчивости в димерных системах Fe-О - Fe можно объяснить антиферромагнитным взаимодействием или между двумя спинами S 3 / 2, или между двумя спинами S 5 / 2 ионов в основном состоянии, основное состояние S 3 / 2 для комплексов октаэдрической и тетраэдрической симметрии исключается. [38]
Можно убедиться, что во многих редкоземельных соединениях магнитный момент оказывается локализованным. В самом деле, температурная зависимость магнитной восприимчивости в этих соединениях описывается законом Кюри - Вейсса, что указывает на наличие локального поля в окрестности атома. Жаккарино и др. [50], используя электронный парамагнитный резонанс и найтовский сдвиг в ядерном магнитном резонансе, показали, что в редкоземельных фазах Лавеса ( см. гл. IV) типа ХА12, где X, например, гадолиний, электроны проводимости поляризованы. Это опять-таки указывает на то, что в обменном взаимодействии принимают участие электроны проводимости. Существуют также соединения ( например, GdOs2 с температурой Кюри 70 К), кристаллы которых являются ионными и ферромагнетизм у которых должен быть обусловлен прямым обменным взаимодействием. [39]
Можно убедиться, что во многих редкоземельных соединениях магнитный момент оказывается локализованным. В самом деле, температурная зависимость магнитной восприимчивости в этих соединениях описывается законом Кюри - Вейсса, что указывает на наличие локального поля в окрестности атома. Шаккарино и др. ( 50 ], используя электронный парамагнитный резонанс и найтовский сдвиг в ядерном магнитном резонансе, показали, что в редкоземельных фазах Лавеса ( см. гл. IV) типа ХА12, где X, например, гадолиний, электроны проводимости поляризованы. Это опять-таки указывает на то, что в обменном взаимодействии принимают участие электроны проводимости. Существуют также соединения ( например, GdOs2 с температурой Кюри 70 К), кристаллы которых являются ионными и ферромагнетизм у которых должен быть обусловлен прямым обменным взаимодействием. [40]
Полученные нами температурные зависимости магнитной восприимчивости решетки исследованных образцов ( рис. 3) также качественно подтверждают рост нежности химической связи от GaAs к GaP. Действительно, как указывается в [1], температурная зависимость магнитной восприимчивости решетки может быть объяснена изменением в зависимости от температуры ван-флековского парамагнитного члена, который с ростом нежности связи уменьшается. [41]
Исследования показали, что эффекты, связанные с изменением веса при наложении магнитного поля, сравнительно невелики и составляют тысячные доли грамма. Эта же величина составляет относительную погрешность при определении температурной зависимости магнитной восприимчивости для одного и того же образца, поскольку погрешность в определении прибора можно считать практически систематической. [42]
Хотя соотношение (21.55) специально не проверялось, существующие экспериментальные данные свидетельствуют о том, что оно не выполняется. Это прежде всего связано с тем, что предсказываемая теорией квадратичная температурная зависимость магнитной восприимчивости в случае х чаще всего не имеет места. Следует отметить, что неточности расчетного порядка, допущенные при выводе формул (21.40) - (21.52), не могут существенно изменить соотношения (21.53), и причины нарушения его остаются неясными. [43]
Сила вырывания измеряется величиной силы тока соленоида, необходимой для того, чтобы вывести образец из области максимальной напряженности поля. Эта установка, так же как и первая, позволяет установить температурную зависимость магнитной восприимчивости. Нагревание образца производится и в этом случае с помощью небольшой электрической печи, состоящей из двух сваренных с одного конца коаксиальных трубок из жаростойкой стали. [44]
Антимонид индия, легированный железом, также проявляет ряд интересных свойств. Прежде всего следует отметить, что, как показали наши исследования, температурная зависимость магнитной восприимчивости кристалла подчиняется закону Кюри - Вейсса [1], и в области температур выше 20 К материал является парамагнетиком. В интервале температур 80 - 150 К нами наблюдалась аномальная температурная зависимость коэффициента Холла [1], которая может быть объяснена парамагнитными свойствами материала п связана с асимметричным рассеянием носителей тока на парамагнитных центрах. Исследования температурных зависимостей подвижности носителей тока материала показывают, что существует дополнительный механизм рассеяния на нейтральных центрах. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5