Температурная зависимость - чувствительность
Cтраница 1
Температурная зависимость чувствительности у фо-тотранзисторов с освещаемой областью эмиттера или коллектора выражена гораздо слабее, чем у фототранзисторов с освещаемой областью базы. [1]
Температурная зависимость чувствительности у фототранзисторов с освещаемой областью эмиттера или коллектора выражена гораздо слабее, чем у фототранзисторов с освещаемой областью базы. [2]
Исследование температурной зависимости чувствительности тензопреобразователей давления - Измерительные преобразователи давления, теоретические и экспериментальные исследования и разработка: Сб. [3]
Наибольшая разница в температурной зависимости чувствительности к надрезу связана, вероятно, с химическим составом, хотя иногда ее можно отнести и за счет состояния материала ( режимов термообработки) и метода изготовления отливок. [4]
На рис. 3.37 показаны температурные зависимости чувствительности сенсоров SnO2, изготовленных из порошков различной дисперсности. [5]
Таким образом, чтобы снизить температурную зависимость чувствительности, необходимо уменьшить долю фототока / к в общем фототоке гфк. [6]
Таким образом, чтобы снизить температурную зависимость чувствительности фототранзистора, необходимо уменьшить долю / кфг в общем фототоке / кф - Для этого нужно уменьшать эффективную диффузионную длину, а также снижать отношение R3IRK, уменьшая площадь эмиттера. Целесообразно также сдвинуть центр эмиттерного перехода относительно коллекторного, чтобы мертвая зона была на краю светочувствительной площадки. [7]
Показано, что для полупроводниковых тензорезистивных преобразователей характерны влияние термических напряжений на аддитивную составляющую температурной погрешности и температурная зависимость чувствительности тензопреобразователей. [8]
 |
Внешний вид программы. [9] |
Использование разработанного способа градуировки ИП с интегрированным чувствительным элементом позволяет скомпенсировать погрешности, вносимые дрейфом нуля тензометрического преобразователя давления при изменении температуры, а также температурной зависимостью чувствительности ИП. При этом основными источниками погрешностей МТУ являются: погрешности образцовых средств измерения, используемых при градуировке, погрешность аналого-цифрового преобразования, погрешность адекватности модели ИП и временная нестабильность параметров компонентов, а также изменение последних при циклическом воздействии измеряемых величин. Анализ источников этих погрешностей и оценка их значений показали, что максимальная приведенная погрешность МТУ не превышает 0 1 %, однако, на основании испытаний во ВНИИМ им. [10]
 |
Дроссельный датчик с разъемным элементом. [11] |
Компенсация температурной погрешности нулевой точки в наиболее распространенных несимметричных датчиках достигается схемами термокомпенсации с термисторами ( рис. 3.116 г); температурная погрешность чувствительности сводится к минимуму, как правило, путем соответствующего выбор а материала и способа обработки, а также способа возбуждения переменного поля. Разностные схемы имеют пренебрежимо малую температурную зависимость нуля, а температурная зависимость чувствительности компенсируется при помощи терморезисторов. [12]
 |
Дроссельный датчик с разъемным элементом. [13] |
Компенсация температурной погрешности нулевой точки в наиболее распространенных несимметричных датчиках достигается схемами термокомпенсации с термисторами ( рис. 3.116 г); температурная погрешность чувствительности сводится к минимуму, как правило, путем соответствующего выбор а материала и способа обработки, а также способа возбуждения переменного поля. Разностные схемы имеют пренебрежимо малую температурную зависимость нуля, а температурная зависимость чувствительности компенсируется при помощи терморезисторов. [14]
Когда захват электронов происходит по диссоциативному механизму, для которого характерен рост сечения захвата с энергией электронов, то повышение температуры должно приводить к увеличению чувствительности. Были предложены методы определения энергии активации процесса захвата электронов по температурным зависимостям чувствительности детектирования. [15]
Страницы: 1 2