Температурная зависимость - электропроводность
Cтраница 1
Температурная зависимость электропроводности некоторых окислов титана и ванадия. [1]
Температурная зависимость электропроводности носит экспоненциальный характер. [2]
Температурная зависимость электропроводности иногда металлическая: иногда полупроводниковая. На основании этих данных величина Eg составляет 0 63 - 0 65 эв. [3]
Температурная зависимость электропроводности высших окислов урана. [4]
Температурная зависимость электропроводности сплавов этой системы отличается рядом особенностей. Во-первых, электропроводность теллу-рида германия ( стехиометрического состава) и сплавов, близких к нему по составу, довольно заметно растет при повышении температуры. Во-вторых, сплавы с большим содержанием германия расположены в области более высоких значений электропроводности. Те и чистый теллур имеют меньший температурный коэффициент электропроводности, чем остальные сплавы. [5]
Температурная зависимость электропроводности собственного полупроводника, представленная уравнением (1.36), лежит в основе одного из самых распространенных методов измерения ширины запрещенной зоны полупроводниковых материалов. [6]
Температурная зависимость электропроводности стекол AsSexBy и AsGeSe - cBy, измеренная на двух и более параллельных образцах, удовлетворительно воспроизводилась. [7]
 |
Зависимость проводимости примесных полупроводников от. [8] |
Температурная зависимость электропроводности невырожденных примесных полупроводников, как и собственных, определяется в основном температурной зависимостью концентрации носителей. [9]
 |
Температурная зависимость электропроводности собственных полу. [10] |
Температурная зависимость электропроводности невырожденных примесных полупроводников, как и собственных, определяется в основном температурой зависимостью концентрации носителей. [11]
Поскольку температурная зависимость электропроводности определяется главным образом активацией до возбужденного состояния, можно предположить, что фотопроводимость будет наблюдаться при облучении с энергией 0 14 эв. Однако нужно помнить, что кристалл является оптически плотным по отношению к радиации и, кроме того, даже при температуре жидкого азота число носителей тока, вызванное облучением, мало в сравнении с количеством носителей, которые существовали до этого. [12]
 |
Температурная зависимость электропроводности ( на этом и остальных рисунках номер кривой соответствует номеру состава. [13] |
Кривая температурной зависимости электропроводности для чистого SnC9 в интервале 350 - 700 С характеризуется наклоном 1 85 эв ( см. рис. 1), что согласуется с предположением о наличии глубоко лежащего донорного уровня. [14]
Исследование температурной зависимости электропроводности до температур, на 300 превышающих температуру размягчения ( Tg), показало отсутствие каких-либо изменений в ходе закономерности, подобных тем, которые имеют место при изменении ближнего порядка. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5