Сильная температурная зависимость

Cтраница 1

Переменноточные подпрограммы нингидрина. [1]

Сильная температурная зависимость также указывает на кинетический характер волны. [2]

Сильная температурная зависимость ( рис. 132, 133) является существенным недостатком метода, так как приводит к плохой воспроизводимости пленок по толщине. [3]

Сильная температурная зависимость явления последействия делает такой вывод, невидимому, неизбежным. [4]

Сильная температурная зависимость картины сдвигов ( как искусственных, так и естественных) в исследованном температурном интервале, в особенности между 20 и 30 С, идет параллельно с зависимостью оптического предела упругости от температуры. [5]

Сильная температурная зависимость чувствительности сплавных фототранзисторов обусловлена наличием составляющей фототока, вызванной освещением области базы в зоне р рк. [6]

Сильная температурная зависимость резонансной частоты диэлектрических резонаторов является серьезным препятствием на пути широкого их применения в технике СВЧ. Однако перспективность применения стимулирует работы по созданию термостабильных материалов и резонаторов. [7]

Вследствие сильной температурной зависимости k величина коэффициента при у I ( с) должна увеличиваться с понижением температуры, а значение потенциала йг - уменьшаться, что действительно имеет место. При температуре - 70 С практически все носители сосредоточены на центрах прилипания и заметную роль должна играть проводимость в примесной зоне. [8]

Из-за сильной температурной зависимости и технологического разброса характеристик управления тиристоров включение их, как правило, производится достаточно крутыми импульсами тока управления. [9]

Вследствие сильной температурной зависимости постоянных времени т положение максимума также сильно меняется при изменении температуры. В силу сказанного этот максимум можно обнаружить более удобным способом, снимая, подобно тому, как это было сделано при представлении спектра дезаккомодации, например, температурную зависимость tg8 при постоянной частоте ( фиг. В обычно используемой области частот, простирающейся от нескольких сотен герц до нескольких сотен килогерц, найденные максимумы, как правило, отвечают электронным процессам. Это объясняется тем, что по сравнению с ионными электронные процессы характеризуются более низкими значениями энергии активации ( 0 7 эВ), а следовательно, и меньшими временами релаксации, которые могут быть измерены в доступной области температур. [10]

Вследствие сильной температурной зависимости значения TI для одной и той же соли изменяются быстро и в широком диапазоне. Это затрудняет экспериментальную проверку теории. Экспериментальные данные прекрасно укладываются на теоретическую кривую, полученную путем комбинации прямого и рамановского процессов. [11]

Вследствие сильной температурной зависимости мощности излучения ( четвертая степень термодинамической температуры) даже небольшое повышение температуры поверхности может вызвать сильное изменение излучаемой мощности. [12]

Схемы оптоэлектронных ИМС. реле постоянного тока К295КТ1 ( а и одновибратора К295АГ1 ( б. [13]

Учитывая сильную температурную зависимость параметров оптронных ИМС серий К295 и 415 их рабочий диапазон температур ограничен: - 10 - - 55 С; кроме того, требуются специальные меры предосторожности от перегрева оптронов при монтаже. [14]

Недостатки - сильная температурная зависимость их характеристик и параметров, высокий уровень шумов, большая потребляемая мощность, необходимая для двойного преобразования энергии, малый коэффициент передачи тока, определяемый как отношение выходного тока к входному. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5