Обобщенная зависимость
Cтраница 2
 |
Энергетические диаграммы, поясняющие увеличение дифференциального сопротивления с уменьшением напряжения стабилизации для стаби. [16] |
Обобщенная зависимость дифференциального сопротивления от напряжения стабилизации многих стабилитронов показана на рис. 3.55. Для изготовления высоковольтных стабилитронов с лавинным пробоем в качестве исходного полупроводникового материала необходим высокоомный кремний. Чем больше требуется напряжение стабилизации, тем больше должно быть удельное сопротивление исходного кремния. [17]
 |
Диаграмма Смита при отрицательных значениях активного сопротивления.| Зависимость отрицательного сопротивления или проводимости от уровня ВЧ возбуждения. [18] |
Обобщенная зависимость отрицательного сопротивления ( проводимости) активного элемента от уровня ВЧ возбуждения на его входе изображена на рис. 4.13. При малом уровне ВЧ возбуждения на активном элементе величина отрицательной проводимости ( сопротивления) максимальна. [19]
Обобщенные зависимости времени срабатывания от G, построенные для реле РПН и РЭС-14 на основе данных [2], приведены на рис. 4.3, где сплошные линии относятся к замыкающему контакту контактного элемента п, а пунктирные - к размыкающему. [20]
Обобщенная зависимость дифференциального сопротивления от напряжения стабилизации многих стабилитронов показана на рис. 3.55. Для изготовления высоковольтных стабилитронов с лавинным пробоем в качестве исходного полупроводникового материала необходим высокоомный кремний. Чем больше требуется напряжение стабилизации, тем больше должно быть удельное сопротивление исходного кремния. [22]
Получены обобщенные зависимости для расчета теплоотдачи плотного слоя, продольно обтекающего гладкие и сребренные поверхности. [23]
Рассмотрим обобщенные зависимости от основных дестабилизирующих факторов для наиболее часто встречающихся на практике систем г, у и h параметров транзисторов. [24]
Такие обобщенные зависимости, однако, ограничены условиями подобия, и из них нельзя делать заключения, выходящие за пределы этих ограничений. Всегда нужно помнить, что общего решения теория подобия не дает: она позволяет лишь обобщить опытные данные в области, ограниченной условиями подобия. Поэтому результаты отдельного опыта закономерно распространять только на подобные между собой явления и процессы. [25]
Такие обобщенные зависимости, однако, ограничены условиями подобия, и из них нельзя делать заключения, выходящие за пределы этих ограничений. [26]
 |
Влияние концентрации ПАВ на прочностные свойства литиевых смазок ( пояснение в тексте, с. 25. [27] |
Установлена обобщенная зависимость изменения прочности, для которой характерны три зоны, обусловленные различным уровнем участия молекул ПАВ в мицелло - и струк-турообразовании. [28]
 |
Вольт-амперные характеристики горизонтального заземли.| Импульсные коэффициенты двухлучевых заземлителей в зависимости от удельного сопротивления грунта при разных значениях. [29] |
Использование обобщенной зависимости, приведенной на рис. 6 - 3 для вертикальных электродов длиной более 10 м, очевидно, даст заниженные значения коэффициентов а при малых / и р, из-за того, что не учитывается индуктивность вертикальных электродов при моделировании. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5