Временная зависимость - напряжение
Cтраница 1
Временные зависимости напряжения и тока, характеризующие переходные процессы в полупроводниковом диоде, зависят также от сопротивления внешней цепи, в которую включен диод. Поэтому рассмотрим четыре предельных случая переходных процессов в полупроводниковом диоде с несимметричным р - п-пере-ходом. [1]
 |
Характеристики переходных процессов в полупроводниковом диоде, работающем при больших импульсных напряжениях в схеме с генератором напряжения. [2] |
Временные зависимости напряжений и токов, характеризующие переходные процессы в полупроводниковом диоде, зависят также от сопротивления внешней цепи, в которую включен диод. Далее рассмотрим четыре предельных случая переход - ных процессов в полупроводниковых диодах. [3]
Временные зависимости напряжения и тока, характеризующие переходные процессы в полупроводниковом диоде, зависят также от сопротивления внешней цепи, в которую включен диод. Поэтому рассмотрим четыре предельных случая переходных процессов в полупроводниковом диоде с несимметричным / 7 - / 1-переходом. [4]
Временные зависимости напряжения и тока, характеризующие переходные процессы в полупроводниковом диоде, зависят также от сопротивления внешней цепи, в которую включен диод. Поэтому рассмотрим четыре предельных случая переходных процессов в полупроводниковом диоде с несимметричным р - и-пере-ходом. [5]
Рассмотрим временные зависимости напряжения и заряда для режима закрытого р-п перехода ( рис. 6.4, а), частичного открывания ( рис. 6.4, б) и для граничного режима ( рис. 6.4, в), который характеризуется соотношением 7макс 2Qj, где QJ - амплитуда синусоидального заряда, текущего через варикап. [6]
На рис. 12.12 в изображена временная зависимость напряжения на конденсаторе С во время скачка на участке бв. [7]
Емкость МДП-структуры будет обратно пропорциональна производной временной зависимости напряжения на структуре от времени. [8]
 |
К определению выходных параметров импульсных схем 106. [9] |
В процессе решения уравнений ММС получаются временные зависимости напряжений и токов практически всех ветвей электронной схемы. Расчет выходных параметров, относящихся к группе функционалов таких зависимостей, не представляет существенных трудностей. [10]
 |
Частотная зависимость динамической вязкости. [11] |
Выше уже отмечалось, что при исследовании временной зависимости напряжения при заданной деформации наблюдается явление так называемой релаксации напряжений. Определим релаксационный модуль как отношение мгновенного значения напряжения в испытуемом образце к величине деформации, установленной при испытаниях в режиме постоянной деформации. [12]
 |
Скелетная схема осциллографа со ждущей разверткой. [13] |
Электронный осциллограф в основном предназначается для анализа временной зависимости напряжения сигнала. Следовательно, с помощью осциллографа исследуются самые разнообразные быстропротекающие физические процессы ( механические, оптические, тепловые и др.), которые тем или иным способом могут быть преобразованы в электрические колебания. [14]
Осциллограммы, приведенные на рис. 5 - 16, характеризуют временную зависимость напряжения, отображающего речь. [15]
Страницы: 1 2 3