Sic-волокно
Cтраница 1
SiC-Волокна являются бикомпонентными ( двухфазными) волокнами; содержание SiC в волокне составляет 90 - 97 объемн. В сердцевине волокна сохраняется вольфрамовая нить, масса которой невелика по сравнению с обшей массой материала. [1]
В SiC-волокне с подложкой из углеродной нити образуется рыхлый порошкообразный слой ( рис. 8.4); кроме того, возможны гладкие и крупные осадки, неравномерные кристаллические отложения, трещины и другие грубые дефекты. Поверхность SiC-волокна с вольфрамовой подложкой имеет более четко выраженную струк - ТУРУ ( рис. 8.5) с различным размером зерен и другими дефектами. Наиболее существенное влияние на поверхность оказывает чистота аппаратуры, применяемой для получения волокна. При наличии загрязнений на поверхности волокна появляются большие бугры. Внутренние дефекты SiC-волокна и борнитридного волокна видны на рис. 8.2 и 8.3 6 соответственно. [2]
Достигнутые механические показатели SiC-волокон, надо полагать, не являются пределом, и в будущем могут быть найдены условия, позволяющие улучшить свойства этих волокон. [3]
К положительным свойствам SiC-волокон относятся: высокие термостойкость, химическая стойкость, в том числе к окислителям, хорошая адгезия к связующим, относительно невысокая плотность. [4]
Согласно патенту [66] прочность SiC-волокна повышается на 20 - 30 % при обработке его после выхода из реакционной камеры 5 % - ным раствором КОН при 20 - 25 С в течение 2 мин. Для уменьшения колебаний температуры нити реакционную камеру снабжают тепловым экраном и печью с тепловым градиентом, расположенными вокруг аппарата со стороны выхода из него волокна. При наличии такого устройства колебания температуры по длине нити снижаются до 15 С. При этом получается волокно, состоящее из смеси карбида кремния и бора; оно представляет собой модифицированное SiC-волокно. [5]
В патенте [65] описаны усовершенствованный способ и аппаратура для получения SiC-волокна. [6]
 |
Условия синтеза SiC-волокна. [7] |
В табл. 7.7 приведены соединения и смеси, использованные при получении SiC-волокна. Оптимальная температура процесса находится в пределах 1400 - 1550 С. Удовлетворительные результаты получены также при использовании метилтрихлорсилана. [8]
В SiC-волокне с подложкой из углеродной нити образуется рыхлый порошкообразный слой ( рис. 8.4); кроме того, возможны гладкие и крупные осадки, неравномерные кристаллические отложения, трещины и другие грубые дефекты. Поверхность SiC-волокна с вольфрамовой подложкой имеет более четко выраженную струк - ТУРУ ( рис. 8.5) с различным размером зерен и другими дефектами. Наиболее существенное влияние на поверхность оказывает чистота аппаратуры, применяемой для получения волокна. При наличии загрязнений на поверхности волокна появляются большие бугры. Внутренние дефекты SiC-волокна и борнитридного волокна видны на рис. 8.2 и 8.3 6 соответственно. [9]
Наиболее важными параметрами, определяющими механические показатели волокна, являются состав газовой смеси, температуря отложения, соотношение диаметров ядра и оболочки и число дефектов. Достигнутая прочность SiC-волокон пока еще невелика, но по мере усовершенствования процесса их получения механические показатели будут значительно улучшаться. [10]
Волокно, подобно нитям из окислов металлов, стойко к окислителям. Из рис. 8.11 видно, что SiC-волокно в этих условиях более стойко, чем борное волокно. SiC-Волокно отличается высокой хемо-стойкостью, стойкостью к тепловым ударам, стабильностью размеров, высокой адгезией к связующим и другими ценными физико-механическими свойствами. По адгезии к полимерным материалам SiC-волокно также превосходит борное волокно. [11]
Волокно, подобно нитям из окислов металлов, стойко к окислителям. Из рис. 8.11 видно, что SiC-волокно в этих условиях более стойко, чем борное волокно. SiC-Волокно отличается высокой хемо-стойкостью, стойкостью к тепловым ударам, стабильностью размеров, высокой адгезией к связующим и другими ценными физико-механическими свойствами. По адгезии к полимерным материалам SiC-волокно также превосходит борное волокно. [12]
Согласно патенту [66] прочность SiC-волокна повышается на 20 - 30 % при обработке его после выхода из реакционной камеры 5 % - ным раствором КОН при 20 - 25 С в течение 2 мин. Для уменьшения колебаний температуры нити реакционную камеру снабжают тепловым экраном и печью с тепловым градиентом, расположенными вокруг аппарата со стороны выхода из него волокна. При наличии такого устройства колебания температуры по длине нити снижаются до 15 С. При этом получается волокно, состоящее из смеси карбида кремния и бора; оно представляет собой модифицированное SiC-волокно. [13]
В SiC-волокне с подложкой из углеродной нити образуется рыхлый порошкообразный слой ( рис. 8.4); кроме того, возможны гладкие и крупные осадки, неравномерные кристаллические отложения, трещины и другие грубые дефекты. Поверхность SiC-волокна с вольфрамовой подложкой имеет более четко выраженную струк - ТУРУ ( рис. 8.5) с различным размером зерен и другими дефектами. Наиболее существенное влияние на поверхность оказывает чистота аппаратуры, применяемой для получения волокна. При наличии загрязнений на поверхности волокна появляются большие бугры. Внутренние дефекты SiC-волокна и борнитридного волокна видны на рис. 8.2 и 8.3 6 соответственно. [14]
Волокно, подобно нитям из окислов металлов, стойко к окислителям. Из рис. 8.11 видно, что SiC-волокно в этих условиях более стойко, чем борное волокно. SiC-Волокно отличается высокой хемо-стойкостью, стойкостью к тепловым ударам, стабильностью размеров, высокой адгезией к связующим и другими ценными физико-механическими свойствами. По адгезии к полимерным материалам SiC-волокно также превосходит борное волокно. [15]
Страницы: 1 2