Относительная освещенность
Cтраница 5
В табл. 11.3 приводятся значения относительной освещенности е от сплошной светящей полосы различных светильников с условным световым потоком Fy 1000 лм, при k - 1, без. [61]
В случаях, не указанных в табл. 8.11 и 8.12, производится вычисление / Сп в той точке расположения рабочих мест, где К п имеет максимальное значение. Для этого в указанной точке отдельно определяются относительные освещенности, создаваемые светильниками, питаемыми от каждой из трех фаз. Наибольшее из значений принимается за 100 %, а остальные два выражаются в долях от него. [62]
Нахождение контура спектральных линий мы рассмотрим позже ( см. § 4.8), а сейчас остановимся на другой, часто встречающейся на практике задаче - определении относительной яркости спектральных линий конечной ширины. В этом случае оказывается достаточным найти лишь относительные освещенности в максимумах наблюдаемых контуров, причем эти максимумы для симметричных спектральных линий ( а таких большинство) совпадают с серединами наблюдаемых контуров. [63]
 |
Наклонные светильники. [64] |
Если тот или иной светильник часто устанавливается с наклоном, то для определения от него освещенности Б. А. Гольдштейн предлагает дальнейшее развитие своего построения. Это дает возможность на сетке графика, подобного 2 - 47, нанести вместо кривых равных значений у мзолюксы относительной освещенности. [65]
ФЭОУ-15, возникает ток, отклоняющий зеркальце гальванометра. Зеркальце является частью оптической системы, освещающей включенную навстречу друг другу пару фотоэлементов. Малый поворот зеркальца резко меняет относительную освещенность фотоэлементов, что приводит к увеличенному отклонению зеркальца следующего гальванометра, включенного в цепь последних. Это отклонение аналогичным образом усиливается еще дважды: один раз в ФЭОУ-15 и второй - в дополнительном каскаде. Сигнал с последней пары фотоэлементов III подается через катодный повторитель IV на автоматический электронный потенциометр ЭПП-09 и непрерывно регистрируется на бумажной ленте потенциометра. [66]
Зависимость плотности почернения D от экспозиции И называют кривой почернения фотоэмульсии или характеристической кривой. На рис. 7.5.2 изображена эта кривая. По оси абсцисс откладывают десятичные логарифмы относительной освещенности, а по оси ординат - величины измеренных плотностей почернения D. Из рисунка видно, что в нижней части кривая идет почти параллельно оси абсцисс и дает почернение D0, соответствующее фотографической вуали. Далее следует криволинейный участок кривой почернения АВ - область недодержек, которая переходит затем в прямолинейный участок ВС - область нормальных почернений. [67]
 |
Пространственные изолюксы условной горизонтальной освещенности для светильника УПД ДРЛ. [68] |
Полученные точки соединяются плавными кривыми. При тех же значениях d и h, что и в приведенном примере, находим по графику е 1 15 лк, после чего с учетом двух светильников умножением на отношение Ф: 1000 находим Е 43 лк. Уже из этого примера видно, что отсчеты по графику, связанные с глазомерным интерполированием, менее точны, чем по кривым относительной освещенности, что окупается простотой пользования. Кривые относительной освещенности е сохраняют, однако, значение для расчетов повышенной точности и теоретических анализов. [69]
Пользование пространственными изолюксами устраняет эти операции. Легко убедиться, что на любом направлении а этой плоскости существует точка с любым заданным значением е, если только сила света светильника ( а значит, и относительная освещенность s) имеет для данного направления конечное значение. [70]
Полученные точки соединяются плавными кривыми. При тех же значениях d и h, что и в приведенном примере, находим по графику е 1 15 лк, после чего с учетом двух светильников умножением на отношение Ф: 1000 находим Е 43 лк. Уже из этого примера видно, что отсчеты по графику, связанные с глазомерным интерполированием, менее точны, чем по кривым относительной освещенности, что окупается простотой пользования. Кривые относительной освещенности е сохраняют, однако, значение для расчетов повышенной точности и теоретических анализов. [71]
Страницы: 1 2 3 4 5