Освобождение - электрон
Cтраница 3
Характер температурной зависимости освобождения электронов связан с глубиной залегания ловушек. [31]
Энергия, необходимая для освобождения электронов с поверхности металла, может быть сообщена ему различными способами: облучением поверхности металла коротковолновым излучением ( фотоэффект с поверхности металла); 2) наложением сильного внешнего поля ( холодная или автоэлектронная эмиссия); 3) нагреванием электрода, сопровождающимся увеличением энергии электронного газа; если при этом кинетическая энергия электрона превосходит энергию выхода, то электрон может преодолеть притяжение кристаллической решетки - перескочить через потенциальный барьер ( термоэлектронная эмиссия); 4) бомбардировкой поверхности металла частицами ( например положительными ионами), обладающими достаточной энергией. [32]
 |
Энергетическая модель для электронов в металле при отсутствии поля Е ( а и при его наличии ( б. [33] |
Очевидно, что для освобождения электрона из металла нужно сообщить ему энергию, по крайней мере, равную разнице между глубиной потенциальной ямы и кинетической энергией уровня. Эта разность W UQ - ц называется работой выхода электрона из металла. Для металлов и слабо зависит от температуры ( см. гл. [34]
Энергия, необходимая для освобождения электронов, может быть получена или в результате облучения кристалла светом, или при наличии очень сильного электрического поля, или же при увеличении энергии теплового движения атомов ( молекул) кристалла. [35]
 |
Энергетическая зонная модель оксидного катода. [36] |
Благодаря тепловому возбуждению происходит освобождение электронов из этих центров и их эмиссия в вакуум. Одновременно происходит заполнение пустых узлов электронами металла - подложки. Этот процесс тоже приводит к образованию центров прилипания ( источников электронов) и вызывает тем самым рост эмиссии. [37]
Явление, связанное с освобождением электронов твердого тела или жидкости под действием электромагнитного излучения. [38]
Процесс ионизации заключается в освобождении электронов от их структурной связи с атомами или молекулами газа. Освободившиеся электроны обеспечивают главным образом проводимость газовой среды, и в меньшей степени это относится к ионам. [39]
Эмиссия электронов [24], Для освобождения электронов из металла необходимо затратить работу. [40]
При уменьшении длины волны вероятность освобождения электронов с поверхности металлов быстро возрастает. Квантовый выход электронов с поверхности металлов г к ( отношение числа освобожденных электронов к числу падающих фотонов) быстро возрастает при уменьшении длины волны. В качестве примера в табл. 1.4 приведены значения квантового выхода электронов с поверхности никеля и вольфрама при различных длинах волны. [41]
Наименьшая энергия Ет, необходимая для освобождения электрона тепловым движением, может соответствовать одному из запрещенных оптических переходов. [42]
Увеличение проводимости при освещении полупроводника объясняется освобождением электронов кристаллической решетки, образующих первичный фототек. В полупроводниках первичный фототек достигает сравнительно больших значений, разрушает первоначальную кристаллическую решетку и вызывает вторичный фототек за счет освободившихся при этом электронов. Вторичный фототек зависит от приложенного к фотоэлементу напряжения и температуры. Инерционность фотосопротивлений, как правило, увеличивается с увеличением их чувствительности и уменьшением освещенности. [43]
Наименьшая энергия ДА Т, необходимая для освобождения электрона тепловым движением, может соответствовать одному из запрещенных оптических переходов. [44]
Возникновение фототока в описываемых фотоэлементах связано с освобождением электронов полупроводника под влиянием освещения. Если на электроды предварительно наложить некоторую разность потенциалов, то в цепи при освещении возникает первичный фототок. Этот фототок вызывает в полупроводнике вторичный фототок, являющийся результатом столкновения первичных электронов с атомами полупроводника. В то время как сила первичного фототока пропорциональна интенсивности светового потока, сила вторичного фототока подчиняется более сложным законам. Поэтому общая сила фототока не пропорциональна интенсивности светового потока. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5