Cтраница 3
В XXI век микроэлектроника вошла с производством УСБИС динамической памяти на 1 Гбит и микропроцессоров с тактовыми частотами до 1 2 ГГц. К 2010 - 2012 гг. предполагается довести эти показатели до 64 Гбит и 10 ГГц, соответственно. Аналогичная тенденция резкого повышения степени микроминиатюризации наблюдается и в оптоэлектронике. Совершенно другая ситуация складывается при освоении диапазона линейных размеров менее 0 1 мкм. Здесь возникает фундаментальный физический барьер, обусловленный резкими изменениями практически всех свойств твердого тела, в том числе и электропроводности. При достижении таких размеров в соответствующих объектах начинают в полной мере проявляться квантовые эффекты, что требует совершенно иного подхода к конструированию приборов, которые должны работать на новых физических принципах. Вот почему освоение нанометрового диапазона размеров в современной твердотельной электронике выделено в специальное направление, названное наноэлектроникой. [31]
Интересно посмотреть на роль и место ИС в общем ходе исторического развития радиоэлектроники. К настоящему времени сформировались и могут быть, разумеется, в значительной степени условно выделены основные тенденции РЭ. Эта условность понимается авторами, как некоторая расплывчатость границ между отдельными тенденциями; на самом деле, они представляют некоторые главные результаты эволюционного развития РЭ, во многих аспектах перекрываются друг с другом, дополняют друг друга, способствуя тем самым общему развитию идей и принципов радиоэлектроники. Ниже мы коротко перечислим эти основные тенденции. Большие успехи последних двух десятилетий - освоение коротковолновой части сантиметрового диапазона, а также миллиметровых, субмиллиметровых и оптических диапазонов - свидетельствуют о стабильности данного направления РЭ. Определенный интерес представляет также освоение диапазона сверхдлинных электромагнитых воли. [32]