Cтраница 2
Этот метод не отображает каких-либо принципиальных различий в усилительных свойствах транзисторов с двумя / э-п-переходами и полевых транзисторов, поскольку между п - и - параметрами существуют весьма простые зависимости. [16]
Из табл. 5 - 2 видно, что при заданных значениях параметров р, со и coi [ а следовательно, и Р ( Мф, УФ) ] профили скорости, температуры и концентрации выражаются в виде весьма простых зависимостей от функции Р ( и, у), описывающей распределение плотности потока импульса. [17]
![]() |
Схема упругой связи труба - грунт. [18] |
Конечно, подобная схема упругого взаимодействия трубы с грунтом даже при незначительных перемещениях является условной. Однако она позволяет использовать весьма простую зависимость, характеризующую соотношение между касательными напряжениями в каком-либо сечении труб и перемещениями этого сечения. [19]