Близость - поверхность
Cтраница 2
Общий ход изменения активности катализаторов разложения гидразина следующий: металлы полупроводники твердые основания твердые кислоты твердые соли. Среди полупроводников изоэлектронного ряда Ge наблюдается закономерное уменьшение каталитической активности с ростом ширины запрещенной зоны. Это возможно благодаря близости поверхностей изученных препаратов. Конечно, не следует придавать количественного смысла полученной зависимости. Однако качественное увеличение активности с ростом К для двух изученных реакций [77, 80] показывает, что это явление не случайное. [16]
Воздух, выходящий из легких, насыщен влагой. Влажность эта при столкновении с прохладным внешним воздухом будет стремиться конденсироваться на ядрах, находящихся в выдыхаемом воздухе, потому что, возможно, многие, если не все, ядра будут вскоре окружены капельками воды. Если эти капельки ударятся о какую-либо поверхность прежде, чем произойдет полное испарение, они могут к ней прилипнуть. Если выдохнутый воздух попадает в приемник небольшого размера, очень многие из ядер будут исключены из подсчетов благодаря близости поверхностей, к которым капельки могут прилипнуть. При больших объемах причина эта может вызвать исключение относительно небольшого числа ядер. Число ядер, выделяемых человеческим организмом в одну минуту, согласно вычислениям, слишком мало в тех случаях, когда часть ядер исключается из подсчета, и слишком велико в тех случаях, когда проба берется из области более насыщенной ядрами. Наиболее точное наблюдение будет в тех случаях, когда проба берется из приемников большого размера. Можно считать, что измерения, произведенные в больших помещениях, дают более верные показатели действительных условий. Базируясь на изложенных экспериментах и соображениях, Г. Р. Уэт пытался выяснить вопрос о том, являются ли ядра конденсации причиной уменьшения числа легких аэроионов в занятых помещениях. [17]
Интерпретация данных о двулучепреломлении ( с указанными ограничениями) значительно упрощается, если средняя ориентация молекулярных цепей одинакова по всему поперечному сечению волокна и если поперечные векторы молекул, расположенные под прямыми углами к оси молекулярной цепи, распределены совершенно беспорядочно. Эти условия, однако, не всегда выполнимы. Иногда результаты, полученные компенсационным методом и методом линии Беке, не совпадают. Более высокое двулучепреломление в поверхностном слое волокна ( согласно данным метода линии Беке) может свидетельствовать о большей степени ориентации молекул, и наоборот. Но существует и другая возможность, а именно, что близость поверхности приводит к отсутствию беспорядочного распределения молекул по азимуту: какая-то плоскость молекулы может стремиться занять положение, параллельное поверхности волокна. На самом деле, плоскостная ориентация более свойственна кристаллам, чем молекулам: какая-то плоскость кристалла может стремиться расположиться параллельно поверхности. Но при разборе явления двулучепреломления, которое прежде всего является выражением свойств молекул, плоскостную ориентацию можно рассматривать и применительно к молекулам. [18]
Нами предпринята попытка оценить суммарное переохлаждение слоя при выращивании монокррюталлов германия из расплавленного слоя [ 5 - S ] и соотнести ( эту величину с плотностью дислокаций. Степень переохлаждения регулировалась глубиной расплавленного слоя, которая при данном методе выращивания, в свою очередь, регулируется положением нагревателя, а постоянство глубин обеспечивается за счет перемещения и плавления твердой части загрузки. При меньших глубинах на показания влиял повышенный теплоотвод через термопару и кварцевый чехол, связанный с близостью поверхности расплава. [20]
Страницы: 1 2