Основа - элемент
Cтраница 3
ОЗУ, построенные на основе элементов ЭСЛ и ТТЛШ. [31]
Схемы обслуживания создают на основе элементов ТТЛ, ЭСЛ, на л-канальных и комплементарных МДП-транзисторах. [32]
 |
Усредненный элемент для связанных материалов. а - в состоянии свободной засыпки. б - после деформации. [33] |
Свойства каркаса описываются на основе усредненного элемента. Бесконечный кластер состоит из округлых частиц, контактирующих с соседними частицами. [34]
Свойства каркаса определяются на основе усредненного элемента ( см. гл. [35]
Технология изготовления схем на основе толстопленочных элементов отличается простотой, не требует сложного и дорогостоящего оборудования, а также специалистов высокой квалификации. Толстопленочные элементы и схемы на их основе характеризуются высокой надежностью при небольшой себестоимости изделий по сравнению с существующими технологиями изготовления микросхем. [36]
Согласно современным представлениям, в основе элемента, как качественно определенного вида атомов, лежит атомное ядро. [37]
Приемники и передатчики реализуются на основе элементов ТТЛ-Ш и ЭСЛ; при этом внешние приемники и передатчики - обычно и на элементах ЭСЛ, и на элементах ТТЛ-Ш, а внутренние приемники и передатчики - на элементах ТТЛ-Ш и обычных ТТЛ. [38]
Из катализаторов, приготовленных на основе элементов V периода, изучались лишь молибденовые и, как видно из рис. 5, их активность сильно зависит от присутствия в них других элементов. Наименьшей активностью обладает чистая окись молибдена, но введение в ее состав алюминия, кобальта или железа увеличивает ее активность в реакции разложения диэтилсульфида. [40]
В общем, катализаторы на основе элементов семейства железа, по-видимому, являются оптимальными для реакций карбонилирования. Вероятно, существует тесная связь между активацией этими катализаторами окиси углерода и их способностью образовывать не очень прочные карбонильные соединения. [41]
Из катализаторов, приготовленных на основе элементов V периода, изучались лишь молибденовые и, как видно из рис. 5, их активность сильно зависит от присутствия в них других элементов. Наименьшей активностью обладает чистая окись молибдена, но введение в ее состав алюминия, кобальта или железа увеличивает ее активность в реакции разложения диэтилсульфида. [43]
 |
Схема одноразрядного сумматора с однофазными входами на элементах НЕ, И-ИЛИ. [44] |
Рассмотренные выше схемы ПОС выполнялись на основе элементов с многоступенчатой логикой ( И - - ИЛИ; И - ИЛИ - НЕ; НЕ, И - ИЛИ) и наиболее выгодны при разработке сумматоров на диодно-транзисторных, транзистор-транзисторных и транзистор-транзисторно-транзисторных интегральных схемах. В случае применения элементов с одноступенчатой логикой ( И - НЕ; ИЛИ - НЕ; И; ИЛИ), из которых достаточно широко распространены TRL-ИС и интегральные схемы на МДП-транзисторах, функциональная реализация сумматоров имеет другой вид. [45]
Страницы: 1 2 3 4