Основа - выбор
Cтраница 4
В основу выбора количества комплектующего оборудования положены те же принципы, что и при определении необходимой производительности ЭВМ. [46]
 |
Структурная схема двухконтурной системы с вводом производной от промежуточной регулируемой величины. [47] |
В основу выбора вспомогательной регулируемой величины положен тот же принцип, что и в каскадных системах: вспомогательная величина хг должна иметь значительно меньшую величину запаздывания и инерционность по отношению к основным возмущениям объекта и регулирующему воздействию, чем основная регулируемая величина. [48]
В основу выбора производительности обессоливающей установки для первых двух блоков были положены суммарный расход пара в размере 450 т / ч и расход добавочной воды, составляющий 2 5 % расхода пара. В соответствии с этим были сооружены сначала одна и затем точно такая же вторая обессоливающие установки производительностью по 6 мъ / ч; каждая установка в течение суток между двумя регенерациями обеспечивает подготовку 144 лг3 воды. [49]
В основу выбора параметров дезинтегрирующих камер положены лабораторные исследования производительности и энергоемкости дробления пород. [50]
В основу выбора оптимальных условий данного процесса положен метод полного факторного эксперимента, который позволяет дать математическое описание процесса. [51]
В основу выбора новой электропередачи постоянного тока была положена идея создания межсистемной связи. [52]
 |
Основные показатели товарных форм неонола АФ9 - 2 типа СНО-4. [53] |
В основу выбора оптимальных концентраций химических продуктов в технологических жидкостях, закачиваемых в нефтяные залежи для образования ПДС и МПДС, и объемов закачки были положены результаты экспериментальных исследований, приведенных в 4 и 6 разделах книги. [54]
В основу выбора компонентов композиционных материалов конструкционного назначения в первую очередь положена возможность получения высоких значений отношения модуля упругости и прочности к плотности. Кроме того, весьма важны долговечность материалов в эксплуатационных условиях и их технологичность. [55]
Страницы: 1 2 3 4