Значительная зависимость

Cтраница 1

Значительная зависимость всех параметров транзисторов от изменения режима по постоянному току позволяет осуществить схемы АРУ рядом способов, отличных от применяемых в ламповых схемах. К таким способам относятся: режим транзистора по постоянному току, изменение величины обратной связи щу переменному току, изменение степени межкаскадной связи и шунтирование нагрузки каскадов сопротивлениями, значение ко - тб ых зависит от управляющего параметра. В схеме на рис. 8 - 8 для получения управляющего напряжения АРУ AM и ЧМ сигналов используются два отдельных детектора на диодах Д и Да. При приеме ЧМ сигналов используется детектор АРУ, выполненный на диоде Ц, сигнал на который подается с выхода первого каскада УПЧ. JtPy при приеме AM сигналов, напряжение сигнала на него по - Дается с последнего каскада УПЧ. Управляющие напряжения с детекторов АРУ подаются на базы транзисторов каскадов УПЧ и усилителей ВЧ AM и ЧМ сигналов. [1]

Значительная зависимость параметров от температуры является принципиальной особенностью транзисторов, обусловленной физическими свойствами полупроводников. Изменение температуры транзистора сопровождается изменением токоа в его цепях. Это объясняется тем, что с ростом температуры увеличивается концентрация неосновных носителей за счет образования новых пар электрон - дырка. Так как на движение неосновных носителей поля р - - переходов оказывают ускоряющее действие, то через эмиттерный и коллекторный переходы увеличатся обратные токи. Зависимость обратного тока коллектора / КбО от температуры имеет важное значение для герма-ниевых транзисторов. Значение этого тока у германиевых транзисторов удваивается при увеличении температуры на 8 - 10 С. [2]

Значительная зависимость установившихся колебаний от параметров колебательного контура и триода ( которые могут иметь заметный разброс и изменяться под действием температуры) не всегда обеспечивает в рассматриваемой схеме требующуюся стабильность колебаний по амплитуде и частоте. [3]

Значительная зависимость скорости замещения от природы входящей группы наблюдается редко. [4]

Значительная зависимость электропроводности полупроводников от температуры используется в терморезисторах. Материалом для изготовления терморезисторов служат обычно смеси окислов, сульфидов, нитридов или карбидов металлов. [5]

Значительная зависимость коэффициента массопередачи от степени насыщения ( при малых степенях насыщения) может явиться одной из причин наблюдаемого некоторыми авторами различия коэффициентов массопередачи в прямом и обратном направлениях. [6]

Значительная зависимость свойств ферритов от температуры по сравнению с другими высокочастотными магнитными материалами, особенно по сравнению с магнитодиэлектриками ( см. далее), объясняется их низкой точкой Кюри. [7]

Схема включения фотодиода для работы в фотодиодном. [8]

Значительная зависимость сопротивления фоторезистора от температуры, характерная для полупроводников, является их недостатком. [9]

Значительная зависимость поведения дисперсной системы от физических свойств жидкости ( а также и газа) выдвигает еще одну проблему. Если экспериментальные условия измерения скорости абсорбции, сопровождаемой химической реакцией, и скорости физической массоотдачи ( ее коэффициента ki) не полностью гидродинамически идентичны, то нельзя найти действительные значения коэффициента ускорения абсорбции химической реакцией. Во избежание этого затруднения целесообразно 67 измерять &. [10]

Столь значительная зависимость аргентинской энергетики от жидкого топлива обусловила крупные расходы на импорт нефти и нефтепродуктов в страну особенно в конце 50 - х - начале 60 - х годов. [11]

Изменение распределения примесей в результате многократного прохождения зоны вдоль слитка. [12]

Значительная зависимость структурно-чувствительных свойств полупроводниковых материалов от природы и концентраций примесей дает возможность выявлять влияние различных технологических факторов на особенности процесса кристаллизации. Форму фронта кристаллизации можно легко выявить, вводя в расплав во время процесса вытягивания последовательно донор-ные и акцепторные примеси. Это позволяет создать вдоль монокристаллического слитка несколько электронно-дырочных переходов, форма которых соответствует форме фронта кристаллизации в моменты введения в расплав каждой новой порции лигатуры. [13]

Значительная зависимость теплотехнических показателей контактных экономайзеров от относительного расхода воды служит важным отличительным качеством их, которое должно быть учтено при проектировании экономайзерных установок и определении области их применения. [14]

Значительную зависимость срг и а от Ят можно объяснить нестационарностью движения пузырьков по высоте слоя: в начале пузыри движутся с большими скоростями, в конце слоя движение их замедляется. Чем меньше высота слоя, тем большее влияние оказывают концевые эффекты. С увеличением высоты слоя влияние концевых эффектов снижается, и, начиная с определенной высоты, значения газосодержания и поверхности контакта фаз становятся независимыми от нее. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5