Физическая основа - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 3
Человек гораздо умнее, чем ему это надо для счастья. Законы Мерфи (еще...)

Физическая основа

Cтраница 3


Физическую основу цементации также целесообразно рассматривать с точки зрения теории наполнителей, а формование - с позиций теории пластичных деформаций.  [31]

Физическую основу электротехники составляют электрические и магнитные явления. Содержание же электротехники как отрасли науки заключается в техническом использовании этих явлений.  [32]

Физическую основу электротехники составляют электрические и магнитные явления. Содержание же электротехники как отрасли науки заключается в техническом использовании этих явлений.  [33]

Физическую основу электротехники составляют электрические и магнитные явления. Если же требующиеся для объяснения вопросов электротехники знания по физике ( например, о физических свойств ах полупроводников) будут изучаться позже, то в пособии они излагаются подробнее.  [34]

35 Происхождение излучения от ускоряющегося электрического заряда. [35]

Физическую основу уравнения ( А-5) можно легко понять. Если заряженная частица движется с постоянной скоростью, она переносит с собой силовые линии, которые являются прямолинейными.  [36]

Физическую основу аналого-цифрового преобразования составляет стробирование и сравнение с фиксированными опорными уровнями.  [37]

38 Определение концентрации вещества графическим способом по методу добавок. [38]

Физическую основу атомно-абсорбционной спектроскопии составляет поглощение резонансной частоты газообразными атомами. Если на невозбужденные атомы направить излучение света с резонансной частотой поглощения атомов, то излучение будет поглощаться атомами, а его интенсивность уменьшится.  [39]

40 Зависимость тока исток - сток от потенциала затвора.| Энергетическая диаграмма пленочного транзистора. [40]

Физическую основу работы пленочных транзисторов составляет эффект поля. На рис. 10.10 показана энергетическая диаграмма полупроводникового слоя в промежутке исток - затвор. При нулевом смещении в приборе, предназначенном, например, для работы в режиме обогащения, энергетические зоны должны изогнуться вверх у поверхности раздела полупроводник-изолятор. Когда затвор имеет положительное смещение, электроны направляются к поверхности раздела и вызывают понижение дна зоны проводимости относительно уровня Ферми, образуя высокопроводящий канал у поверхности полупроводника.  [41]

Физическую основу работы электрических машин всех типов составляют электромагнитные явления: силовое действие магнитного поля и электромагнитная индукция. В § 3.6 показаны принципиальные возможности взаимного преобразования механической и электрической энергий. Эти возможности в промышленных масштабах реализуют посредством электрических машин.  [42]

Физическую основу оптико-электронных методов измерения составляют процессы преобразования измеряемого ( входного) электрического сигнала в световой и светового сигнала в выходной электрический сигнал. Схемы преобразования отличаются друг от друга способом воздействия измеряемого параметра на свойства светового луча ( способом модуляции) и, следовательно, разным конструктивным исполнением.  [43]

Физическую основу определения концентрации примеси составляет зависимость интенсивности спектральных линий от количества загрязнения. Эта связь имеет линейный характер, если небольшое изменение концентрации не приводит к смещению теплового равновесия между электронами и ионами. Подобное положение всегда существует в изотермической плазме, в неизотермической же дело обстоит иначе. При обсуждении данного вопроса необходимо подробно рассмотреть соотношение величин потенциалов ионизации основного и примесного компонентов. С увеличением концентрации микрокомпонента снижается электронная температура, потому что одновременно возрастает число неупругих столкновений электронов с примесными атомами. Это увеличение и абсолютно, и относительно. Оно абсолютно по отношению к совокупности всех неупругих столкновений, происходящих при малых концентрациях примеси, и относительно из-за уменьшения числа столкновений с участием атомов основного газа. Следовательно, интенсивность света возрастает быстрее, чем увеличивается концентрация загрязнения.  [44]

45 Модель гидроксилсодержащей молекулы, образующей водородную связь, и естественные координаты, описывающие собственные колебании водородного мостика. [45]



Страницы:      1    2    3    4