Основание - картина
Cтраница 1
Основание картины нужно провести перпендикулярно биссектрисе угла между проекциями крайних проецирующих прямых. [1]
Основание картины проведем перпендикулярно биссектрисе угла зрения. Главное расстояние выбирается в зависимости от того, какой должна быть ширина перспективного изображения. На рис. 571 показаны четыре варианта расположения основания картины. Прямая k проведена между горизонтальными проекциями точки зрения и здания. Основание картины k проведено через проекцию одного из углов здания. [2]
На основании картины поля определяют емкость конденсатора и сравнивают этот результат со всей емкостью, полученной на основе измерения электрического сопротивления всей модели в целом. Определение емкости по картине поля осуществляется весьма просто, если выполнены указанные выше условия построения линий напряженности. [3]
На основании картины распределения напряжений - можно сделать заключение о том, что зона наибольших напряжений расположена под вершиной клина, в массе образца. По мере внедрения режущей кромки ножа все напряжения растут, и наиболее быстро в зоне наибольших напряжений. При малой глубине внедрения ( до 20 % от исходной толщины образца) под режущей кромкой ножа также действуют растягивающие напряжения. Дальнейшее внедрение ( более 20 %) приводит к тому, что, вероятно, из-за сил трения под режущей кромкой образуется зона всестороннего сжатия материала, в которой вследствие замедления в этих условиях релаксационных процессов [49] закрепляется либо исходная структура материала, либо структура, созданная, например, в результате предварительного растяжения. [4]
На середине основания картины возьмем точку 02 и восставим из нее перпендикуляр, который явится главной линией картины Рр. Крайние верхние точки на вертикальных прямых соединим горизонтальной прямой. Положение линии горизонта hh определим на расстоянии 1 5 м от основания картины, так как этот размер соответствует примерно высоте глаз стоящего человека среднего роста. [5]
Расстояние между смежными основаниями картины должно быть равно высоте сечения ( принятой для изображения земной поверхности в горизонталях) на данном чертеже. [6]
Расстояние между смежными основаниями картины равно высоте сечения, принятой для изображения земной поверхности в горизонталях на данном чертеже. [7]
Возьмем на основании картины произвольную точку 02 ( рис. 376) и восставим из нее перпендикуляр О2А к основанию картины. [8]
 |
Построение перспективы прямоугольника. [9] |
Отмечают на основании картины ОО точку Ь, которая является вторичной проекцией начала прямых BE и В А, так как она лежит на картинной плоскости. [10]
Таким образом, основание картины нужно выбрать в таком месте, в каком можно получить необходимый размер перспективного изображения. Если потребуется построить перспективу настолько крупную, что основание картины не помещается в пределах чертежа, следует все отрезки, полученные в процессе построения перспективы на картинной плоскости, увеличить в необходимое число раз. [11]
 |
Построение перспективы квадрата. [12] |
BE - параллельно основанию картины. [13]
Наконец, на основании картины находятся вторичные проекции точек, лежащих на картинной плоскости ( например, точка М на черт. Что касается линии горизонта, то она представляет собой множество вторичных проекций несобственных точек пространства. Таким образом, по вторичной проекции точки можно установить, в каком пространстве находится данная точка. [14]
Итак, на основании цитоморфологической картины, характерной для клеток, облученных в различных дозах или подвергнутых воздействию различных температур ( 37 С и 43 - 45 С), можно, вероятно, говорить о двух формах интерфазной гибели. [15]
Страницы: 1 2 3 4