Экспериментальное основание - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 2
Прошу послать меня на курсы повышения зарплаты. Законы Мерфи (еще...)

Экспериментальное основание

Cтраница 2


Однако рациональные теоретические и экспериментальные основания для определения константы интегрирования, связанной с толщиной вязкого подслоя, в настоящее время отсутствуют.  [16]

Однако имеются экспериментальные основания полагать, что сигналы о боли возникают в результате возбуждения не рецепторов, а непосредственно чувствительных волокон.  [17]

Однако, поскольку экспериментальных оснований для выбора между этими трактовками нет, мы воздержимся от детализации реакции ( П-9) и сохраним за ней название, приведенное в схеме.  [18]

Упомянем кратко об экспериментальных основаниях для выводов о кинетике реакции и ее механизме.  [19]

Практически общепринятой, имеющей под собой фундаментальные экспериментальные основания концепцией, объясняющей механизм сопряжения, является хемиоосмотическая гипотеза Митчела. Согласно этой гипотезе реакции ( VIII. Этот градиент, создающий разность химических и электрических потенциалов, и является источником энергии для протекания эндэргонического процесса образования АТФ из АДФ и ортофосфата. Олигомицин-чувствительная АТФаза согласно этой концепции является ферментом, способным использовать градиент концентрации протонов для обращения процесса гидролиза АТФ.  [20]

Эти и подобные факты служат экспериментальным основанием уже упоминавшегося в § 32 положения, согласно которому электронные конфигурации, соответствующие полностью или ровно наполовину занятым подуровням, обладают повышенной энергетической устойчивостью.  [21]

Эти и подобные факты служат экспериментальным основанием уже упоминавшегося в § 32 положения, согласно которому электронные конфигурации, соответствующие полностью или ровно наполовину занятым подуровням, обладают повышенной энергети ческой устойчивостью.  [22]

Эти и подобные факты служат экспериментальным основанием уже упоминавшегося в § 32 положения, согласно которому электронные конфигурации, соответствующие полностью или ровно наполовину занятым подуровням, обладают повышенной энергетической устойчивостью.  [23]

Эти и подобные факты служат экспериментальным основанием уже упоминавшегося в § 33 положения, согласно которому электронные конфигурации, соответствующие полностью или ровно наполовину занятым подуровням, обладают повышенной энергетической устойчивостью.  [24]

Эти и подобные факты служат экспериментальным основанием уже упоминавшегося в § 32 положения, согласно которому электронные конфигурации, соответствующие полностью или ровно наполовину занятым подуровням, обладают повышенной энергетической устойчивостью.  [25]

26 Первые энергии ионизации атомов элементов некоторых главных подгрупп, эВ. [26]

Эти и подобные факты служат экспериментальным основанием уже упоминавшегося ранее положения, согласно которому электронные конфигурации, соответствующие полностью или ровно наполовину занятым подуровням, обладают повышенной энергетической устойчивостью.  [27]

Эти и подобные факты служат экспериментальным основанием уже упоминавшегося в § 32 положения, согласно которому электронные конфигурации, соответствующие полностью или ровно наполовину занятым подуровням, обладают повышенной энергетической устойчивостью.  [28]

Таким образом, фактически здесь исследуются экспериментальные основания этой фундаментальной теории. Изложение теории относительности весьма краткое и предельно упрощено. Мы коснулись только тех проблем, которые необходимы для понимания приложений в оптике. Вместе с тем более полно охарактеризованы применения специальной теории относительности для истолкования ряда оптических явлений. В частности, подробно исследованы следствия эффекта Доплера, а также опыты Саньяка, заложившего основы современной лазерной гиромет-рии.  [29]

Таким образом, хотя пока нет экспериментальных оснований считать компенсационный эффект универсальным явлением в кинетике гетерогенных каталитических реакций, в настоящее время намечаются пути объяснения этого эффекта на более общей основе.  [30]



Страницы:      1    2    3    4