Cтраница 3
Экспоненциальная зависимость множителя А от числа звеньев z, найденная на опыте Флори, не получает объяснения в схеме Эйринга. [31]
Экспоненциальная зависимость температуры перехода была подтверждена экспериментально многими исследователями. [32]
Экспоненциальная зависимость давления пара от температуры приводит к тому, что температурный интервал, в пределах которого оно достаточно высоко для обеспечения необходимого теплообмена и не столь высоко, чтобы возникали проблемы механической прочности устройства, очень ограничен. Следует отметить необходимость совместимости ма-териалов стенки, фитиля и рабочей жидкости. [34]
Экспоненциальная зависимость управляющего воздействия характерна для системы Г - Д, в которой закон изменения ЭДС генератора обусловлен индуктивностью его обмотки возбуждения. Пуск, торможение и реверсирование, а также регулирование угловой скорости двигателя в системе Г - Д производят обычно путем соответствующих переключений в цепи обмотки возбуждения генератора, а иногда и двигателя. Так как обмотки возбуждения обладают сравнительно большой индуктивностью, то их электромагнитные постоянные времени велики и переходные процессы в цепях возбуждения машин протекают сравнительно медленно. [35]
Весьма резкая экспоненциальная зависимость т от Е3 приводит к тому, что при каждой определенной температуре визуально наблюдаемая фосфоресценция обусловливается ловушками, отвечающими определенному, сравнительно узкому интервалу значений Ея. Более мелкие ловушки характеризуются слишком малым временем жизни, чтобы связанное с ними послесвечение могло быть замечено глазом. С другой стороны, освобождение электронов из более глубоких ловушек происходит настолько медленно, что они не вносят существенного вклада в фосфоресценцию. Если кристал-лофосфор содержит только мелкие ловушки, то при температуре, постаточной для их опустошения, послесвечение будет малым. Этой особенностью отличаются, например, лучшие сцинтилляторы Nal-Tl и CsI-Tl, причем использовать их для спектрометрии ядерных излучений, когда по амплитуде сцинтилляций судят об энергии фотонов или частиц, можно лишь при комнатной и более высокой температуре. В области низких температур из-за возрастающей инерционности свечения отдельные сцинтилляции начинают сливаться друг с другом. [36]
Экспоненциальная зависимость деформации ползучести от температуры указывает на термоактивационную природу процесса ползучести. [37]
Экспоненциальная зависимость силы тока электролиза от времени справедлива и в том случае, если / э контролируется только скоростью электродной реакции. При этом коэффициент k прямо пропорционален специфической константе скорости реакции. [38]
Экспоненциальная зависимость числа различимых состояний от числа применяемых накопителей делает естественной логарифмическую меру для информационной емкости. [39]
Экспоненциальная зависимость плотности рожденных пар представляет физический интерес в других случаях. Если рассматривать внешние поля с оптическими частотами, то эффект может оказаться существенным при значениях напряженности поля, лишь на один-два порядка меньшей критического значения. [40]
Экспоненциальная зависимость изменения электропроводности солей и стекол от температуры может быть истолкована следующим образом. Электропроводность кристаллического силиката и стекла, как и всякого проводника второго рода, определяется числом N ионов, способных переносить электричество, и средней скоростью v их перемещения. [41]
Экспоненциальная зависимость изменения электропроводности солей и стекол от температуры может быть истолкована следующим образом. [42]
Экспоненциальная зависимость ослабления потока нейтронов от величины сечения поглощения при изменении последней по закону / v приводит к тому, что борный фильтр обеспечивает достаточно четкую границу поглощения, ниже которой поток нейтронов ослабляется в значительной степени. [43]
Экспоненциальная зависимость процента выхода годных кристаллов от их площади обусловлена в основном наличием случайно распределенных дефектов в оксидных пленках, выполняющих роль защитных масок при проведении таких распространенных технологических процессов, как диффузия и ионное легирование. [44]
Установлена экспоненциальная зависимость между содержанием свободных радикалов в CAB и степенью их ароматичности. По мере увеличения степени ароматичности в ряду масла - смолы - асфальтены - карбоиды число свободных радикалов возрастает на 1 порядок и составляет от 1 1017 до 1.5 1020 на 1г вещества. [45]