Экспоненциальная зависимость - концентрация
Cтраница 1
Экспоненциальная зависимость концентрации от времени озвучивания, подтверждена экспериментами, проведенными в основном с туманами ( фиг. [1]
В связи с последними формулами часто говорят об экспоненциальной зависимости концентрации реагирующего вещества от времени. [2]
В связи с этими формулами часто говорят об экспоненциальной зависимости концентрации реагирующего вещества от времени. [3]
Поэтому зависимость электропроводности от температуры в основном определяется экспоненциальной зависимостью концентрации носителей. [4]
С помощью понятия средней скорости диффузии отсюда сразу получается экспоненциальная зависимость концентрации от расстояния до границы раздела между р - и - областями. Вообще говоря, т в ( 69.1 а) может несколько различаться для электронов и дырок. Аналогично несколько различается и скорость спадания концентрации электронов и дырок по разные стороны от границы. В чистом германии при комнатной температуре значение т составляет несколько тысячных долей секунды. Это приводит к заключению, что ширина перехода имеет порядок микрометра. При наличии примесей эта величина уменьшается и может быть сделана чрезвычайно малой при достаточно большой концентрации примесных атомов. Она уменьшается обратно пропорционально концентрации примесных атомов. Заряд, который перетекает из одной области в другую при образовании перехода, очень мал. Поэтому разность потенциалов, возникающая на переходе и выравнивающая энергии Ферми по разные стороны перехода, имеет порядок 1 В. [5]
 |
Зависимость удвоенной энергии активации проводимости от энергии возбуждения, соответствующей длинноволновой полосе поглощения комплексов тетрацианэтилена. [6] |
Но в рамках зонной теории экспоненциальная зависимость электропроводности от температуры определяется экспоненциальной зависимостью концентрации носителей тока, связанной с наличием запрещенной зоны, подвижность же, как правило, падает с ростом температуры. [7]
 |
Прямая бы стабилизируется. Тогда ВАХ диода с ветвь диода с толстой толстой базой принимает вид. [8] |
Но заранее можно сказать, что при напряжениях на переходе, близких к контактной разности потенциалов, ВАХ вернее всего, не будет экспоненциальной, так как экспоненциальный ее вид прежде всего связан с экспоненциальной зависимостью концентрации инжектированных носителей заряда от напряжения. [9]
Мы уже рассматривали энергию, которая требуется для образования данного вида дефекта решетки. Экспоненциальная зависимость концентрации дефектов от энергии образования ясно указывает, что в любом кристалле присутствуют в заметных количествах только те типы дефектов, для которых энергия образования минимальна, и дефекты других типов можно не рассматривать. Энергию образования некоторых вакансий и других типов дефектов можно рассчитать или определить экспериментально. Например, эксперименты по отжигу радиационных дефектов в образце меди, облученном ядрами дейтерия для создания вакансий, дали значение энергии 1 39 эв ( 32 ккал моль 1), что хорошо согласуется с расчетной величиной 1 4 эв. [10]
Уменьшения проводимости можно добиться путем сокращения числа свободных носителей заряда и увеличения эффективной массы электрона, для чего используются тугоплавкие металлы ( Сг, Та, Мо) и полупроводники. Однако для чистых полупроводников характерна экспоненциальная зависимость концентрации п носителей заряда от температуры, что приводит к большим отрицательным значениям Т КС. [12]
На этом пути практически нет ограничений в изменении р в указанном диапазоне номиналов. Однако для чистых полупроводников характерна экспоненциальная зависимость концентрации п от температуры, что приводит к большим отрицательным значениям ТКС. [13]
 |
Прямая бы стабилизируется. Тогда ВАХ диода с ветвь диода с толстой толстой базой принимает ВИД базой г. [14] |
Однако в большинстве случаев - сопротивление базы не является постоянным при изменении тока и расчет ВАХ сильно усложняется. Но заранее можно сказать, что при напряжениях на переходе, близких к контактной разности потенциалов, ВАХ вернее всего, не будет экспоненциальной, так как экспоненциальный ее вид прежде всего связан с экспоненциальной зависимостью концентрации инжектированных носителей заряда от напряжения. [15]
Страницы: 1 2