Cтраница 2
![]() |
Диодная матрица с гибкими выводами. [16] |
Особенностью конструирования гибридных интегральных микросхем является сочетание конструктивных и технологических решений, связанных с формированием тех или иных компонентов схемы. Рассмотрим основные этапы изготовления гибридных интегральных микросхем. [17]
Особенностью конструирования штанговых скважинных насосов является необходимость обеспечения прочности и герметичности их деталей и узлов в условиях ограниченного диаметрального габарита. Из-за этого в насосах применяют детали с малой толщиной стенки, мелкие резьбы, строго регламентируют крутящий момент затяжки резьбовых соединений. [19]
Освещаются особенности конструирования и изготовления химических машин и аппаратов с применением гуммирования и двухслойных сталей. [20]
Приведены особенности конструирования химической аппаратуры с неметаллическими покрытиями ( в частности, эмалированной) и ее прочностные расчеты. В соответствующих разделах обобщен опыт, накопленный в этом отношении конструкторскими подразделениями и лабораториями НИИ-эмальхиммаша. [21]
![]() |
Структурные схемы специализированных блоков для измерения Атй либо bxik. [22] |
Отметим некоторые особенности конструирования отдельных узлов дефектоскопа. Повышение частоты синхроимпульсов предполагает усовершенствование схемы таких генераторов. [23]
Рассмотрим некоторые особенности конструирования преобразователей частоты. [24]
Рассмотрим некоторые особенности конструирования профильных деталей и деталей из слоистых пластмасс. [26]
Рассмотрим теперь особенности эскизного конструирования различных групп аппаратов. [27]
Приводятся некоторые особенности конструирования транзисторных параметрических умножителей частоты ( ТПУ); показано, что серийно выпускаемые пленарные и сплавно-диффузионные германиевые и кремниевые транзисторы могут быть использованы для ТПУ с достаточно высокими показателями. Приведены результаты исследования ТПУ на маломощных транзисторах типа ГТ311 в диапазоне частот 0 5 - 1 3 Ггц. Описана установка, с помощью которой измерялись показатели транзисторов в умножительном режиме. Сравниваются показатели умножителей при включении транзисторов с общей базой и общим эмиттером. [28]
Рассмотрим теперь особенности эскизного конструирования различных групп аппаратов. [29]
В чем заключаются особенности конструирования модели на базе теории надежности технических систем. [30]