Особенность - работа - транзистор
Cтраница 1
Особенность работы транзисторов состоит в том, что величина напряжения на коллекторе закрытого транзистора равна удвоенному напряжению источника питания Ек. Это следует иметь в виду при конструировании схемы. [1]
 |
Зависимость токов транзистора от напряжения базы. [2] |
Особенности работы транзисторов в режимах отсечки ( ключ выключен) и насыщения ( ключ включен) подробно исследованы в литературе [1,5] и кратко сводятся к следующему. Для наглядности масштаб напряжений и токов не выдержан. [3]
Особенность работы транзистора на высоких частотах заключается также в появлении эффекта оттеснения носителей к краям эмиттера, в результате чего происходит перераспределение плотности тока и значительная часть площади эмиттера не используется, а максимальная плотность тока образуется в узкой кромке по периметру эмиттера. [4]
Особенностью работы транзистора в схеме ОЭ является управление током коллектора с помощью воздействия на ток базы. Кроме того, необходимо учитывать обратное воздействие выходного напряжения на входную цепь. В связи с этим в теории и технике транзисторных усилителей в настоящее время общепринята матрица Я-параметров. [5]
Особенностью работы транзистора Т3 является то, что он может находиться в двух предельных состояниях: насыщенном и пол -, ностью запертом. В состоянии насыщения ( транзистор полностью отперт) напряжение в коллекторе почти равно нулю, а в запертом состоянии оно равно напряжению источника питания. [6]
 |
Зависимость фактора поля g от параметра г. [7] |
Второй особенностью работы транзисторов при повышенных мощностях является неравномерное распределение тока по сечению эмиттера и оттеснение его к периферии. [8]
Исходя из особенностей работы транзисторов необходимо иметь двухполярный управляющий сигнал прямоугольной формы длительностью, равной времени открытого и закрытого состояний транзистора. [9]
Это связано с особенностями работы транзистора. Дополнительная модуляция ( подмодуляция) линеаризует модуляционную характеристику и облегчает тепловой режим предоконеч-ного каскада. Это особенно важно при работе на высоких частотах, когда коэффициент усиления по мощности Ка выходного каскада невелик. [10]
Цель работы - изучение особенностей работы транзистора по схеме с общим эмиттером ( снятие входной и выходной характеристик), определение коэффициента усиления по току и входного сопротивления. [11]
Искажения при малых токах ( малых мощностях) определяются особенностями работы транзистора в режиме, соответствующем области нижнего загиба его статических характеристик. Правильный выбор способа смещения существенно уменьшает эти искажения. [12]
 |
Мультивибратор с ограни. [13] |
Особенностью работы транзисторов в схеме мультивибратора является высокое запирающее напряжение на базе, величина которого достигает уровня Ек. Это может вызвать пробой эмиттерного перехода. В некоторых типах транзисторов пробой приводит к их полному отказу, другие транзисторы допускают работу с временным пробоем перехода база - эмиттер, но при этом в мультивибраторе сокращается длительность периода колебаний. [14]
Ясно, что при распределении примесей в базе по экспоненте объемное сопротивление базы будет выше, чем в случае резкого перехода от сильнолегированной области к слаболегированной. Это является недостатком данного закона распределения. Однако этот закон обладает одним интересным положительным свойством, определяющим особенности работы транзистора, обладающего рассматриваемой структурой. [15]
Страницы: 1