Эвтектическая остановка - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 3
Одна из причин, почему компьютеры могут сделать больше, чем люди - это то, что им никогда не надо отрываться от работы, чтобы отвечать на идиотские телефонные звонки. Законы Мерфи (еще...)

Эвтектическая остановка

Cтраница 3


Взаимодействие натрия и ртути сопровождается выделением значительного количества тепла и приводит к образованию ряда интерметаллических соединений. Эвтектические остановки наблюдаются при - 48 2 С ( 2 8 ат.  [31]

32 Выделение водорода при нагревании смесей NaOH - NaBH4 до 400 С. [32]

Для выяснения сущности протекающей необратимой реакции необходимо сопоставить ряд фактов. С другой стороны, эвтектические остановки при 430 С со стороны, богатой NaBIL, также наблюдаются только до 5 ат.  [33]

В 1903 г. Тамман предложил метод определения эвтектической точки, основанный на том, что, если охлаждение изучаемых систем проводить при одних и тех же условиях ( одинаковые массы и скорости охлаждения), то продолжительность эвтектических остановок, измеряемая длиной горизонтальных участков на кривых охлаждения, пропорциональна массе кристаллизующейся эвтектики. Таким образом, продолжительность эвтектических остановок равна нулю у чистых компонентов и достигает максимального значения для эвтонических систем. Следовательно, состав эвтектики можно найти графически.  [34]

Откладывают перпендикулярно к эвтектической линии отрезки прямых, отвечающие продолжительности эвтектических остановок на кривых охлаждения.  [35]

В справочнике использована общепринятая в физико-химическом анализе терминология, однако в тексте и таблицах приняты сокращения. Термином эвтектика обозначается эвтектическая точка, i эвтектики - температура эвтектической остановки для данного состава, переходная точка отвечает равновесному состоянию двух модификаций и жидкости или перитектической реакции Ж T.  [36]

Горизонталь tE представляет собой линию солидуса. С увеличением концентрации компонента В в смеси от нуля до единицы продолжительность эвтектической остановки при температуре / Е первоначально растет, достигая максимума при концентрации СЕ, а далее падает до нуля.  [37]

38 Диаграмма системы геленит - анортит. [38]

Более точно положение эвтектики на диаграмме может быть найдено по методу Таммана. Для этого охлаждение всех расплавов изучаемой системы проводят в строго одинаковых условиях и определяют продолжительность эвтектических остановок путем измерения длины горизонтальных участков на кривых охлаждения. Продолжительность эвтектических остановок пропорциональна весу кристаллизующейся эвтектики. Она равна нулю у чистых компонентов и достигает наибольшего значения у сплава эвтектического состава. Измерив по кривым охлаждения продолжительность эвтектических остановок, откладываем перпендикулярно к оси состава или эвтектической прямой, отрезки, длина которых пропорциональна продолжительности кристаллизации эвтектики. Получаем треугольник ADb ( треугольник Таммана), высота которого CD лежит на ординате эвтектики. Поэтому абсцисса Ах точки С дает искомый состав эвтектики. Простейшие бинарные сплавы указанного типа образуют Cd-Bi, Sb-Pb, Al-Si, LiCl - KC1, геленит - анортит, диопсид - форстерит и др. На рис. 57 изображена диаграмма состояния системы геленит - анортит.  [39]

Так, например, кристаллизацией расплава стехиометрического состава АВ ( см. рис. 6, а) образуются мелкие неравноосные кристаллы неправильной формы. Если же кристаллизация АВ идет из расплава, концентрация которого несколько меньше, чем это отвечает соединению АВ, то при медленном прохождении температурного интервала 1 - ( 2 вплоть до эвтектической остановки ег, отвечающей совместной кристаллизации А и АВ, выделяются хорошо образованные кристаллы соединения АВ. Если эвтектика е достаточно низкоплавка и имеет малую вязкость, то кристаллы АВ легко отфильтровать, отжать при помощи фильтровальной бумаги или отделить центрифугированием. Все эти операции, конечно, надо проводить при температуре несколько выше температуры плавления эвтектики.  [40]

А лежат на осях чистых компонентов, то это значит, что в системе нет твердых растворов. Если же эти вершины лежат между эвтектической точкой и точками, отвечающими чистым компонентам, то в системе имеет место образование твердых растворов ( см. гл. Эвтектическая остановка на кривых охлаждения с - очень большим содержанием одного из компонентов мала и даже может быть не замечена. В этом случае и при отсутствии твердых растворов стороны треугольника Таммана ЕА и ЕВ могут не доходить до соответствующих значений чистых компонентов. Тогда вершины треугольника Таммана определяют экстраполяцией значений, полученных для различных смесей системы.  [41]

42 Диаграмма состояния системы Hg-Rb.| Диаграмма состояния системы Hg-Cs. [42]

В системе образуется три эвтектики. Первая - между ртутью и соединением RbHgu лежит при температуре - 46 С ( 1 93 ат. Вторая эвтектическая остановка наблюдается при 184 6 С ( 25 4 ат. Rb) и третья - при 25 С находится между Rb7Hg8 и Rb ( 96 2 ат.  [43]

Более точно положение эвтектики на диаграмме может быть найдено по методу Таммана. Для этого охлаждение всех расплавов изучаемой системы проводят в строго одинаковых условиях и определяют продолжительность эвтектических остановок путем измерения длины горизонтальных участков на кривых охлаждения. Продолжительность эвтектических остановок пропорциональна весу кристаллизующейся эвтектики. Она равна нулю у чистых компонентов и достигает наибольшего значения у сплава эвтектического состава. Измерив по кривым охлаждения продолжительность эвтектических остановок, откладываем перпендикулярно к оси состава или эвтектической прямой, отрезки, длина которых пропорциональна продолжительности кристаллизации эвтектики. Получаем треугольник ADb ( треугольник Таммана), высота которого CD лежит на ординате эвтектики. Поэтому абсцисса Ах точки С дает искомый состав эвтектики. Простейшие бинарные сплавы указанного типа образуют Cd-Bi, Sb-Pb, Al-Si, LiCl - KC1, геленит - анортит, диопсид - форстерит и др. На рис. 57 изображена диаграмма состояния системы геленит - анортит.  [44]

45 Диаграмма углеродистых сплавов. [45]



Страницы:      1    2    3    4