Ось - образец
Cтраница 2
 |
Синхронизация частот в эксперименте Бенара ( Gollub, Benson, 1979. [16] |
Вдоль с - оси образца прикладывается стабилизированный постоянный ток и регистрируется напряжение поперек кристалла и интерференционная картина двойного лучепреломления. Так как здесь три управляющих параметра ( температура, плотность тока и поток кислорода), кристалл НБН, имеющий нелинейную вольт-амперную характеристику, представляет собой интересную систему для экспериментального исследования хаоса. [17]
Распределение индикатора вдоль оси образца при режиме молекулярной диффузии Определяется либо методом последовательных слоев ( деструктивный метод), либо методом внешнего коллимированного детектора. [18]
Шкалы помещают параллельно оси образца. [19]
Ось катушки перпендикулярна оси образца и вектору магнитного поля. Идентичное устройство у другого конца образца служит детектором. [20]
Ориентировка поверхности разрушения к оси образца близка к нормальной. [21]
Во избежание эксцентрической нагрузки ось образца должна совпадать с осью верхней шаровой опоры. [22]
Направление прокатки было параллельно оси образца. Как сообщают указанные авторы, эквидистантные линии скольжения появлялись после удлинения образца на 2 - 3 % последовательно, по одной, что сопровождалось небольшими резкими падениями нагрузки и пощелкиванием, Одновременно происходил и процесс прогрессирующего старения деформации. [23]
 |
Схема испытания на изгиб, вычисляется предел прочности при. [24] |
Во избежание эксцентричной нагрузки ось образца должна совпадать с осью верхней шаровой опоры с точностью до 0 25 мм. [25]
Направление волокон выдерживается параллельно оси образца. [26]
Нормаль зеркала перпендикулярна к оси образца. [27]
Между градиентами, параллельными оси образца и перпендикулярными ей, есть существенное различие. Вращение образца с некоторой скоростью вокруг своей оси позволяет усреднить многие дефекты поля в плоскости х-у, но не оказывает влияния на вертикальные градиенты. Поэтому настройка однородности поля по вертикальной оси более существенна для получения хорошего результата и требует более тщательного подхода. Иногда имеется и градиент 2Г5, но обычно только в магнитах на 500 МГц или в магнитах с широким зазором. Настройка этих градиентов сильно влияет на ширину и форму получаемой линии. [28]
 |
Вязкость разрушения при плоской деформации.| Вязкость разрушения при плоском. [29] |
Первая буква обозначает направление оси образца относительно волокна, вторая - направление плоскости развития трещины. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5