Кристаллическая ось

Cтраница 3

С точки зрения распространения волн фильтр Шольца можно также рассматривать как периодическую среду, в которой изменение азимутальных углов кристаллических осей создает периодическое возмущение по отношению к обеим независимым волнам и приводит к связи между быстрой и медленной независимыми волнами. Поскольку эти волны распространяются с различными фазовыми скоростями, полный обмен электромагнитной энергией возможен только в том случае, когда возмущение является периодическим, что позволяет поддерживать соотношения, необходимые для непрерывного обмена энергией между быстрой и медленной волнами и наоборот. Это служит первой иллюстрацией принципа фазового синхронизма за счет периодического возмущения, к которому мы еще вернемся в следующих разделах. Основное физическое объяснение этого явления состоит в следующем: если энергия должна постепенно перекачиваться с расстоянием из моды А в моду В под действием статического возмущения, то необходимо, чтобы обе волны распространялись с одинаковой фазовой скоростью. Если фазовые скорости не равны друг другу, то падающая волна А постепенно будет расфазироваться с волной В, с которой она связана. Это ограничивает полное количество энергии, которым можно обмениваться. Такой ситуации можно избежать, если знак возмущения меняется на противоположный всякий раз, когда рассогласование по фазе ( между связанными полями) равно тт. Это меняет знак перекачки энергии и таким образом поддерживает правильное фазовое соотношение для непрерывной перекачки энергии. Теорию связанных мод для скрещенных фильтров Шольца мы представим в разд. [31]

При наличии расщепления положения наблюдаемый спектр может представлять собой наложение двух спектров, которые при соответствующем выборе декартовой системы кристаллических осей приводят к равным по модулю, но различающимся по знакам недиагональным элементам. Каждый из недиагональных элементов для каждого из центров имеет один какой-то знак. Однако надо осторожно подбирать правильные пары значений. Так, в уравнении ( 7 - 44) значение - 13 нужно сопоставлять с 6, а 13 с - 6, но не наоборот. [32]

Эти результаты указывают на резкую разницу между коэфи-циентами линейного расширения сурьмы, измеренными в различных направлениях по отношению к главной кристаллической оси. [33]

Луч, падающий на кристалл, разделяется на два луча, поляризованные в двух главных направлениях пластинки ( по ее кристаллической оси и перпендикулярно этой оси) и распространяющиеся с разными скоростями. [34]

Взаимодействие каждой пары зависит от расстояния между ионами и от углов, которые образуют радиус-векторы, соединяющие их центры, с кристаллическими осями; при косвенном обмене оно может зависеть также от расположения диамагнитных ионов, находящихся между ними. Это взаимодействие приводит к тому, что резонансная линия смещается из положения, соответствующего отдельному иону, на величину, зависящую от силы взаимодействия, а ее интенсивность при данном смещении зависит от числа пар с заданной величиной взаимодействия. Если рассматривать последовательно пары ионов в кристалле со все увеличивающимися расстояниями, то мы вправе ожидать, что их взаимодействие будет уменьшаться по величине, а число таких пар увеличиваться. Следовательно, линии, смещенные на малую величину, будут иметь большую интенсивность, тогда как линии, смещенные на большое расстояние, будут иметь меньшую интенсивность. При малом числе ионов кривая поглощения может обнаруживать некоторую структуру, но в кристалле обычных размеров число взаимодействующих ионов так велико, что следует ожидать появления широкой кривой поглощения без структуры. Исключение составляет случай, когда взаимодействие одного иона с двумя или тремя ближайшими соседями намного больше его взаимодействия с другими соседями. Одним из таких примеров служит ацетат меди ( § 5 настоящей главы), в котором пара ионов сильно связана обменным взаимодействием; менее яркий пример представляет этилсульфат неодима ( фиг. [35]

Эквивалентная схема фильтра с п ферромагнитными резонаторами. [36]

Как следует из § 17.05, необходимо, чтобы резонаторы находились при одинаковых граничных условиях и имели одну и ту же ориентацию кристаллических осей относительно вектора поля Н0, если все они должны иметь одни и те же резонансные частоты для любой заданной величины Я0 и для дайной температуры. Хотя для всех сфер структуры на рис. 17.07.46 создаются относительно одинаковые граничные условия, все же желательно иметь какое-либо средство для регулировки, чтобы откорректировать некоторые небольшие погрешности в настройке сфер. Недостаток структуры на рис. 17.07.4 а ( по сравнению со структурой на рис. 17.07.3) заключается в том, что, когда в ней возникает необходимость разместить сферы ближе к внутренним краям полосковых проводников, чтобы получить достаточную связь между сферами, они попадут в область менее однородного высокочастотного магнитного поля. В этом случае сферы будут более восприимчивы к возникновению колебаний высшего порядка. [37]

Эквивалентная схема фильтра с п ферромагнитными резонаторами. [38]

Как следует из § 17.05, необходимо, чтобы резонаторы находились при одинаковых граничных условиях и имели одну и ту же ориентацию кристаллических осей относительно вектора поля Н0, если все они должны иметь одни и те же резонансные частоты для любой заданной величины Я0 и для данной температуры. Хотя для всех сфер структуры на рис. 17.07.46 создаются относительно одинаковые граничные условия, все же желательно иметь какое-либо средство для регулировки, чтобы откорректировать некоторые небольшие погрешности в настройке сфер. Недостаток структуры на рис. 17.07.4 а ( по сравнению со структурой на рис. 17.07.3) заключается в том, что, когда в ней возникает необходимость разместить сферы ближе к внутренним краям полосковых проводников, чтобы получить достаточную связь между сферами, они попадут в область менее однородного высокочастотного магнитного поля. В этом случае сферы будут более восприимчивы к возникновению колебаний высшего порядка. [39]

Следует оговориться, что при нагревании сильно анизотропных кристаллов расширение в направлении одной кристаллической оси иногда сопровождается небольшим уменьшением размеров по направлениям других кристаллических осей. [40]

Центральный переход 1 / z) ч - - у2) в разбавленном фторо-силикате ванадия, поле Н образует угол 78 с кристаллической осью. [41]

Ниже рассматриваются комплексные ионы актинидов в гексагональном соединении ( UO2) Rb ( NO3) 3, где оси всех таких комплексов параллельны единственной кристаллической оси. [42]

Индексы Миллера кубических, октаэдрических и додекаэдрических граней в кристалле кубической системы. [43]

Следует отметить, что эти индексы установлены для случая наиболее целесообразного выбора единичной плоскости, а именно такой, которая отсекает по всем трем кристаллическим осям равные отрезки. Если бы была выбрана другая плоскость, то индексы были бы другими. [44]

Схемы коаксиального ( а и волноводного ( б полосно-пропускающих фильтров с механической перестройкой. [45]

Страницы: 1 2 3 4