Главная ось - кристалл
Cтраница 3
Анизотропия наблюдается у большинства кристаллов. Примером может служить кварц, проводимость которого в направлении главной оси кристалла в 300 раз больше, чем в перпендикулярном. В некоторых веществах анизотропия возникает под воздействием внешних сил. В плазме, в ферритах и некоторых других веществах анизотропия возникает под действием постоянного магнитного или электрического поля. [31]
Наиболее интересными будут условия, при которых падающий пучок параллелен главной оси кристалла, поскольку при этом проектируемый потенциал будет кратным проектируемому потенциалу для одной элементарной ячейки и оказывается возможным с достаточным разрешением наблюдать непосредственно кристаллическую структуру. [32]
 |
Спектр ЭПР этильного радикала. а - в жидком этане, 135 К. б - в матрице из твердого аргона, 4 2 К.. [33] |
Поскольку в этих случаях все радикалы определенным образом ориентированы по отношению к главным осям кристалла, то, проводя измерения при разных ориентациях монокристалла в магнитном поле спектрометра, мы получаем целую серию различных спектров ЭПР, обусловленных одним и тем же радикалом. [34]
Для определения параметров сверхтонкой структуры из спектра ЭПР необходимо измерить относительные положения последовательности линий спектра. Если имеется анизотропия, то лучше провести измерения при ориентации внешнего поля вдоль каждой главной оси кристалла. [35]
В определенной степени е характеризует прочность электростатических связей кристаллической решетки того или иного вещества. По значению е керамические материалы весьма различны. Диэлектрическая проницаемость некоторых кристаллов различна по отношению к направлению главной оси кристалла. [36]
Продольная ось z называется оптической осью. Поперечные оси симметрии х, проходящие через ребра шестигранной призмы кристалла, называются электрическими осями; поперечные оси у, перпендикулярные к боковым граням кристалла, называются нейтральными, или механическими осями. Если вырезать из кристалла прямоугольную пластинку так, что ее грани будут перпендикулярны главным осям кристалла, то при сжатии пластинки по граням, перпендикулярным к электрической или механической оси, возникают заряды на гранях, перпендикулярных к электрической оси. При действии сжимающих или растягивающих сил вдоль оптической оси г пьезоэлектрического эффекта не проявляется и заряды не возникают. [37]
Соотношение (17.13) выполняется в широком диапазоне температур в пределах точности измерений коэффициента диффузии. Для веществ, имеющих кристаллическую структуру, коэффициент диффузии является тензором. Приведенные ниже данные являются в основном результатом усреднения этого тензора по направлениям. В отдельных случаях приведены значения коэффициента диффузии в направлениях, параллельном ( Оц) и перпендикулярном ( Dj) главной оси кристалла. В табл. 17.21 - 17.40 представлены значения параметров, входящих в (17.13), а также интервал температур, где производились измерения. [38]
Соотношение (17.15) выполняется в широком диапазоне температур в пределах точности измерений коэффициента диффузии. Для веществ, имеющих кристаллическую структуру, коэффициент диффузии является тензором. Приведенные ниже данные являются обычно результатом усреднения этого тензора по направлениям. В отдельных случаях приводятся значения коэффициента диффузии в направлениях, параллельном ( D л) и перпендикулярном ( D) к главной оси кристалла. В табл. 17.21 - 17.31 представлены значения параметров, входящих в соотношение (17.15), а также интервал температуры, где производились измерения. [39]
Соотношение (17.15) выполняется в широком диапазоне температур в пределах точности измерений коэффициента диффузии. Для веществ, имеющих кристаллическую структуру, коэффициент диффузии является тензором. Приведенные ниже данные являются обычно результатом усреднения этого тензора по направлениям. В отдельных случаях приводятся значения коэффициента Диффузии в направлениях, параллельном ( D ц) и перпендикулярном ( Dj) к главной оси кристалла. В табл. 17.21 - 17.31 представлены значения параметров, входящих в соотношение (17.15), а также интервал температуры, гае производились измерения. [40]
Зеркальная ось симметрии первого порядка эквивалентна наличию плоскости симметрии у кристалла, а вто-ого - центра симметрии. Можно построить 32 группы элементов симметрии, комбинируя их так, чтобы оси и плоскости симметрии были либо перпендикулярны, тибо параллельны друг другу, либо оси симметрии шли под некоторым углом друг к другу. Эти 32 группы разбиваются на б систем симметрии: триклинная, моноклинная ромбическая, тетрагональная, гексагональная, кубическая. Прямоугольная система координат, расположенная определенным условленным образом относительно кристаллической формы, называется главной системой координат и ее оси носят название кристаллографических. Упругие, диэлектрические и пьезоэлектрические константы, точнее составляющие тензорскв упругих, диэлектрических и пьезоэлектрических свойств ( е, s, d), определяются относительно этих главных осей кристалла. [41]
В камере РКОП, так как в ней есть дуга и лимб, предусматривается возможность качания вокруг такого направления, не совмещая его с осью головки. Так определяют размер элементарной ячейки. На рентгенограммах, полученных в цилиндрической кассете, получается семейство прямых параллельных линий. Появление этих пя-тен можно объяснить следующим образом. Одна из главных осей кристалла совмещена с осью вращения. Пучок падает перпендикулярно этой оси. Главная ось кристалла является каким-то отдельно взятым рядом атомов. [42]
Теперь мы можем объяснить происхождение названий обыкновенный и необыкновенный лучи. Начнем вращать кристаллическую пластинку, оптическая ось которой параллельна грани, около нормали к отражающей грани. Вращая, как указано, кристаллическую пластинку, мы увидим, что с одним лучом ничего и не происходит: его положение в пространстве и интенсивность остаются неизменными. Так ведет себя обыкновенный луч. Напротив, та компонента Е, которая перпендикулярна к плоскости падения, образует при вращении кристалла меняющийся угол с главной осью кристалла. [43]
В камере РКОП, так как в ней есть дуга и лимб, предусматривается возможность качания вокруг такого направления, не совмещая его с осью головки. Так определяют размер элементарной ячейки. На рентгенограммах, полученных в цилиндрической кассете, получается семейство прямых параллельных линий. Появление этих пя-тен можно объяснить следующим образом. Одна из главных осей кристалла совмещена с осью вращения. Пучок падает перпендикулярно этой оси. Главная ось кристалла является каким-то отдельно взятым рядом атомов. [44]
Страницы: 1 2 3