Cтраница 1
Отжиг радиационных дефектов происходит при различных температурах в зависимости от того, образовался или нет аморфный слой в процессе ионного внедрения. Рекристаллизация аморфизованного слоя в германии происходит при температуре 400 - 500 С, в кремнии - при 600 - 700 С. [2]
Отжиг радиационных дефектов, как правило, необратим, поскольку их концентрация значительно выше равновесной. Последующий отжиг такого образца при 400 С в течение 15 ч не уменьшает концентрацию электронов проводимости, но если отжиг проводить при меньшей температуре, например 100 С, то концентрация водородных доноров быстро уменьшается и стремится к равновесному значению - Ю15 см-3. Таким образом, каждой температуре отжига соответствует равновесная для нее концентрация донорных центров. [3]
Скорость образования и отжига радиационных дефектов как в n - Ge [409-415], так и в p - Ge [381, 416-418] зависит от зарядового состояния примесных центров, поэтому оказывается чувствительной к освещению отжигаемого ( облучаемого) образца и к дополнительному облучению электронами, энергия которых ниже пороговой. [4]
Образуется в результате отжига радиационных дефектов. [5]
![]() |
Радиационный отжиг изменения размеров графита ( на кривых указана температура облучения. [6] |
Вследствие интенсивной диффузии в локализованных зонах происходит отжиг радиационных дефектов. Действие такого отжига усиливается при оптимальной температуре облучения. [7]
Строгой теории, учитывающей динамику накопления и отжига радиационных дефектов, в настоящее время пока не существует. По-видимому, существенную роль в картине радиационного повреждения металлов играют ( п, р) - и ( п, а) - реакции, однако еще неясна роль этих реакций по отношению к элементарным и комплексным дефектам, вызванным смещениями атомов. Тем - не менее в ряде случаев в сталях даже из-за небольших примесей элементов, на ядрах которых происходят эти реакции, может заметно повыситься вклад тепловых нейтронов в радиационное охрупчивание стали. [8]
Наблюдается в спектрах поглощения ( рис. 120) и фотолюминесценции ( в КЛ не проявляется) алмазов типа Ь после отжига радиационных дефектов. [9]
Вероятно, легче произвести отжиг радиационных дефектов в ВеО низкой плотности, чем высокой. [11]
Спектр обусловлен центром, образующимся при захвате вакансии примесным азотным центром А. Спектр появляется ( или усиливается) в результате отжига радиационных дефектов. [12]
Таким образом, с одной стороны, возникают задачи подбора материала излучателя, обеспечивающего наиболее чистое моносостояние мессбаузровских атомов, что особенно необходимо для химических исследований. С другой же стороны, очевидны связанные с эффектом Мессбауэра возможности прямых наблюдений различных химических последствий ядерных превращений, возникновения, удержания и отжига всевозможных радиационных дефектов. [13]
Для устранения последствий радиационного повреждения графита было предложено и осуществлено несколько вариантов периодического отжига графитовых кладок. Отжиг при температуре выше рабочей может продолжаться в течение нескольких суток. Однако, как показала авария в Уиндскейле [168], вследствие которой реактор № 1 был выведен из строя, и большое количество радиоактивных продуктов было выброшено на окружающую территорию, отжиг радиационных дефектов непосредственно в реакторе - операция весьма опасная. Поэтому в реакторах с повышенной температурой графита не существует опасности значительного накопления запасенной энергии. [14]
Мы уже рассматривали энергию, которая требуется для образования данного вида дефекта решетки. Экспоненциальная зависимость концентрации дефектов от энергии образования ясно указывает, что в любом кристалле присутствуют в заметных количествах только те типы дефектов, для которых энергия образования минимальна, и дефекты других типов можно не рассматривать. Энергию образования некоторых вакансий и других типов дефектов можно рассчитать или определить экспериментально. Например, эксперименты по отжигу радиационных дефектов в образце меди, облученном ядрами дейтерия для создания вакансий, дали значение энергии 1 39 эв ( 32 ккал моль 1), что хорошо согласуется с расчетной величиной 1 4 эв. [15]