Cтраница 2
Чтобы предотвратить взаимное погашение дефектов решетки, необходимо производить облучение при температуре, близкой к абсолютному нулю. Однако опыт показывает, что и этого недостаточно, чтобы сохранить все создаваемые облучением дефекты решетки. Оказывается, что самое облучение производит отжиг дефектов, который можно назвать радиационным отжигом, вследствие вызываемых облучением термических пиков. Это происходит потому, что не вся кинетическая энергия смещенных атомов приходит к нулю, когда атом в конце своего пути перестает вызывать новые смещения и останавливается. [16]
Изменение концентрации точечных дефектов, являющихся основой изменения макросвойств графита, в работе [32] описано системой дифференциальных уравнений. Однако эти уравнения не решены аналитически, что, естественно, затрудняет их использование. В работе [45] предложено общее уравнение изменения числа точечных дефектов со временем облучения в реакторе под действием нейтронного и у-облучения. Поток Y-квантов в этой работе рассматривается в связи с радиационным отжигом дефектов. [17]
Однако она сильно увеличивалась при облучении графита под нагрузкой. Результаты указывали, что графит, обладавший относительно искаженной структурой, релаксирует больше, чем графит, имеющий более упорядоченную структуру. Изменение модуля, следовательно, должно быть одинаковым независимо от того, деформировался образец во время облучения или нет. В таком случае маловероятно, чтобы пластичность объяснялась сдвиговыми явлениями. Скорее можно предположить, что ползучесть под облучением является следствием радиационного отжига, который обсуждался выше. Принимая во внимание, что миграция атомов, происходящая вдоль границ кристаллитов, обусловливает деформацию, можно объяснить, почему пластичность больше для менее гра-фитизированных материалов. [18]
Фотоны ( рентгеновские и гамма-лучи) и заряженные частицы ( электроны и космические лучи) порождают оба названных вида радиационных воздействий, но наиболее существенным из них является ионизация. Основным последствием нейтронного излучения является изменение атомной структуры. Требования к предельной полной дозе излучения обычно лежат в диапазоне от 103 до 106 рад, а максимально допустимая мощность дозы излучения варьируется от 103 рад / с до более чем 10е рад / с. Интегральная плотность потока космических лучей, воздействующих на оборудование спутников, обычно составляет от 1 до 10 1 / см2 - день. Требования, предъявляемые к некоторым системам, включают необходимость возобновления их функционирования сразу же после воздействия облучения; работоспособность других систем должна восстанавливаться после ослабления последствий радиационного отжига. [19]