Отказ - полупроводниковый прибор
Cтраница 1
Отказы полупроводниковых приборов связаны с превышением допустимых напряжений и токов, а также механическими повреждениями. Самый надежный и долговечный транзистор или диод может быть выведен из строя в результате перегрузки в течение долей секунды. [1]
Отказы полупроводниковых приборов можно разделить на катастрофические и постепенные. [2]
 |
Относительное и. менение коэффициента перс дачи тока базы в зависимости от дозы нейтронов для низкочастотных и высокочастотных транзисторов. [3] |
Отказы полупроводниковых приборов могут происходить не только при их эксплуатации в неблагоприятных условиях, но и при хранении. [4]
Отказы полупроводниковых приборов часто связаны с пробоем, когда прибор проводит ток в обратном направлении. В основе этого явления лежит пробой р-п перехода в монокристаллической структуре, составляющей основу прибора. Существует несколько разновидностей пробоя р-п перехода. [5]
Отказы полупроводниковых приборов могут происходить не только при их эксплуатации в неблагоприятных условиях, но и при хранении. [6]
Отказы полупроводниковых приборов часто связаны с пробоем, когда прибор или его область с односторонней проводимостью проводит ток в обратном направлении. В основе этого явления лежит пробой р-п перехода в монокристаллической структуре, составляющей основу прибора. [7]
Отказы полупроводниковых приборов могут быть также обусловлены обрывами и перегоранием выводов, наружным пробоем между выводами, растрескиванием кристаллов. [8]
Отказы полупроводниковых приборов часто связаны с пробоем, когда прибор проводит ток в обратном направлении. В основе этого явления лежит пробой р-п перехода в монокристаллической структуре, составляющей основу прибора. Существует несколько разновидностей пробоя р-п перехода. [9]
Отказы полупроводниковых приборов могут происходить не только при их эксплуатации в неблагоприятных условиях, но и при хранении. [11]
 |
Относительное изменение коэффициента передачи тока базы в зависимости от дозы нейтронов для низкочастотных и высокочастотных транзисторов. [12] |
Отказы полупроводниковых приборов могут происходить не только при их эксплуатации в неблагоприятных условиях, но и При хранении. [13]
Основная часть отказов полупроводниковых приборов связана с постепенным ухудшением параметров, вызванным главным образом изменением состояния поверхности полупроводников. Попадание влаги или кислорода на поверхность кристалла приводит к образованию проводящих мостиков на поверхности полупроводника и к изменению скорости поверхностной рекомбинации, что вызывает увеличение обратного тока перехода, коэффициента передачи а и других связанных с ними параметров. [14]
Основная часть отказов полупроводниковых приборов происходит за счет постепенного ухудшения параметров, вызванного главным образом изменением состояния поверхности полупроводников. Попадание влаги или атмосферного воздуха на поверхность кристалла приводит к образованию проводящих мостиков на поверхности полупроводника и изменению скорости поверхностной рекомбинации, что вызывает увеличение обратного тока перехода, снижение коэффициента передачи а. Поэтому планар-ные приборы, поверхность которых покрыта защитной окисной пленкой, обладают высокой стабильностью параметров, и их надежность более чем на порядок превосходит надежность приборов, изготовленных по сплавной технологии. [15]
Страницы: 1 2