Cтраница 3
Пере ещенне фотоэлектронов в поперечном поле из освещенной обла ти в затемненную приводит к компенсации и поперечного по я в полупроводнике. Соответственно оптический отклик спадает. [31]
Таким образом, оптический отклик существует только на изменение освещенности и поэтому структуры обладают указанными динамическими свойствами. [32]
При увеличении напряжения на ячейке вследствие обострения скачка азимутального угла ф в центре слоя НЖК условие Могена нарушается, ЧтО приводит к модуляции пропускания ячейки. При этом порог оптического отклика Уп не совпадает с порогом деформации и зависит от длины волны модулируемого света. Параметры НЖК влияют и на крутизну модуляционной характеристики твист-эффекта. Известно также, что крутизну модуляционной характеристики можно увеличить, а порог уменьшить за сче / уменьшения энергии связи молекул ЖК. [33]
Характерно, что чем выше требования к максимальному контрасту, тем жестче требование к стабильности источника питания. Здесь следует, конечно, учитывать и временную длительность флуктуации напряжения, поскольку при длительностях, меньших времени оптического отклика ЖК, требования к стабильности значительно снижаются. [34]
Некоторые трудности возникают при суммировании изображений, проецируемых на ПВМС в разные моменты времени. Здесь важно, чтобы интервал времени между последовательно проектируемыми изображениями не превышал характерного времени одного из процессов, определяющих оптический отклик ПВМС. В приборе типа пром таким процессом является, например, накопление заряда в МДПДМ-конденсаторе; интервал времени между суммируемыми изображениями не должен превышать времени накопления. В жидкокристаллических ПВМС допустимый интервал равен времени упругой релаксации жидкого кристалла. [35]
Поведение ЖК в структурах ФП - ЖК полностью определяется параметрами приложенного электрического поля. Поэтому здесь справедливы выводы, которые получены из рассмотрения в § 2.4 электрооптических эффектов в ЖК - Для используемого типа ЖК время включения оптического отклика монотонно уменьшается с увеличением скачка управляющего напряжения ( а следовательно, ц интенсивности возбуждающего излучения), а также имеет минимум в зависимости от напряжения 1 / жк. [36]
Разрешающая способность прибора определилась растром электронно-лучевой пушки и составляла 225 лин. Она может быть повышена при уменьшении диаметра электронного пятна на мишени, тем более что оптический контраст составлял около 60, Прибор функционировал в телевизионном темпе, причем время выключения оптического отклика составляло около 20 мс. [37]
ПВМС связываются с использованием в шйгнстоэлсктрических хиральпых смек-тиков. При решении ука - iBux выше проблем синтеза и ориентации этик ЖК можно ожи-деьа них таких же временных параметров, какие уже достигну-шмакстах дисплеев с высокотемпературными и пока еще недо-атчио стабильными композициями [90, 92], а именно: время ккчсния и выключения оптического отклика около 500 не при аиг. [38]
В результате осуществляется принудительное возвращение ЖК к исходному состоянию за время, близкое по длительности ко времени включения оптического отклика. При этом для обеспечения продолжительной памяти структуры ФП - ЖК желательно применять ЖК с большой длительностью релаксации и отклика ( до секунд в толстых слоях ЖК с большой вязкостью), а быстрое ( за несколько миллисекунд) включение и выключение оптического отклика производить более мошным световым и радиочастотным импульсом соответственно. [39]
Оптический отклик по всей апертуре мог быть стерт за время 5 мс в любой момент в течение времени релаксации среза при подаче ВЧ-напряжения действующей величиной около 80 В, Это величина сокращалась вдвое при одновременной подаче со стирающим ВЧ-полем светового импульса интенсивностью около 1 мВт / см2, обеспечивающего значительное перераспределение напряжения па слоях структуры. [40]
Среди электрически управляемых жидкокристаллических ПВМС с амплитудной модуляцией света наиболее распространенными являются приборы на основе твист-эффекта ( см. [27], стр. Для них характерны высокая однородность модуляционной характеристики по площади модулятора, хороший контраст ( более 100: 1) и слабая зависимость оптического отклика от длины волны. [41]
Естественно, что эти скорости определяются не только параметрами Структуры, но и параметрами светового сигнала, в первую очередь его интенсивностью. С увеличением интенсивности в некоторых пределах минимальная скорость снижается, во-первых, по причине возрастания скачка напряжении на слое жидкого кристалла, что обуславливает и больший оптический отклик; во-вторых, при низких интенсивно-стях величина т ( приближается к tj, что является также фактором, снижающим напряжение на слое жидкого кристалла, а значит и величину отклика. [42]
При освещении структуры с одной из сторон и питании переменным напряжением на слое ЖК появляется выпрямленное напряжение определенного знака. Поскольку оптический Отклик ЖК является функцией напряжения на слое, то, очевидно, он будет являться и функцией разности интенсивностей этих световых потоков. [43]
Предложенной модели противоречит тот факт, что количество осцилляции, вызванных двулучепреломлением ( рис. 4.14, кривая 2), одинаково на переднем и заднем фронте оптического отклика, в том числе и в случае, когда имеется выброс. Кроме того, емкость ячейки монотонно изменяется в процессе релаксации [144], что также не согласуется с рассмотренной моделью. Возможно, что выброс связан с явлениями дгулучепреломления в ячейке. При наклонном падении света на ячейку осцилляции пропускания наблюдаются как на заднем, так и на переднем фронте оптического отклика на импульсное напряжение. [44]
Длительность импульса выбиралась из условия обеспечения максимальной глубины модуляции считывающего излучения, которое во всех случаях подавалось непрерывно. Такой метод полезен прежде всего с практической точки зрения при измерении энергетической чувствительности ПВМС, работающего с частотой смены изображений, близкой к максимальной, поскольку этот случай соответствует быстрому включению оптического отклика ПВМС и относительно медленной релаксации. [45]