Отклонение - концентрация
Cтраница 1
Отклонение концентраций по высоте зоны контакта и по ширине тарелки от соответствующих средних величин составляет, не более 5 % от обогащения жидкости на тарелке. [1]
 |
Плотность серной кислоты и олеума при 20 С. [2] |
Отклонение концентрации серной кислоты и олеума от стандартных значений ведет к повышению температуры замерзания, что затрудняет перевозку и хранение кислоты. Так, башенная кислота, содержащая до 82 % моногидрата, замерзает при 8 С, поэтому транспортировка и хранение такой кислоты весной, осенью и зимой становится невозможной. [3]
Отклонение концентрации носителей тока в полупроводнике от равновесной может быть достигнуто не только в результате ионизации светом или иными излучениями, но и ( в определенных условиях) за счет приложения напряжения к контакту этого полупроводника с другим материалом. [4]
Величины отклонений концентраций носителей от равновесного состояния Дл ( я-по), Ар ( р-ро) называются избыточными ( или неравновесными) концентрациями электронов и дырок соответственно. При взаимной рекомбинации неравновесных носителей их состояние возвращается к тепловому равновесию. Существуют два вида рекомбинации: прямая межзонная рекомбинация и рекомбинация через уровни дефектов. На рис. 2.24 показаны типы межзонной рекомбинации. При мржзонной рекомбинации электрона и дырки происходит испускание энергии, соответствующей ширине запрещенной зоны. Тип рекомбинации, изображенный на рис. 2.24, а, называется излучатель-ной рекомбинацией, а остальные два - безызлучательными. Рекомбинация с образованием свободного носителя ( рис. 2.24, б) называется Оже-рекомбинацией. [5]
При отклонениях концентрации NH3 в рассоле от нормы следует проверить ( по показаниям приборов) соответствие нагрузок отделений абсорбции и дистилляции, барометрический режим их работы, условия охлаждения в холодильнике газа дистилляции, величины потоков рассола, герметичность аппаратов и коммуникаций и принять меры к устранению выявленных неполадок. [6]
При отклонении концентрации бензола в рабочем растворе от эталонного луч света отклоняется и равенство освещенностей полуэлементов нарушается. Сигнал разбаланса усиливается электронным усилителем и приводит во вращение реверсивный двигатель, с осью которого связаны каретка регистрирующего устройства и ось сельсина-датчика. Поворот сельсина-датчика вызывает соответствующий поворот сельсина-приемника, с осью которого связана компенсационная пластина. Перемещение последней продолжается до момента уравновешивания измерительной схемы. [7]
При отклонении концентраций носителей заряда от равновесных значений тг и р0 нарушается баланс между процессами тепловой генерации, с одной стороны, и захватом носителей на локальные центры или убылью носителей за счет межзонных переходов, с другой. [8]
 |
Блок-схема интерферометра. [9] |
Прибор позволяет контролировать отклонения концентраций от заданной величины и может быть использован как в промышленных условиях, так и в заводских лабораториях. [10]
Обсуждаются различные виды отклонения концентраций носителей тока в полупроводниках от равновесных значений. Принимается во внимание соетпв тока на контактах. Рассматриваются четыре типа нарушений, из которых наиболее известна шшекцин но; сителей тока. Экспериментально наблюдались также эксклюзия и экстракция носителей тока, но об их аккумуляции сообщений еще не было. Все явления обсуждаются на основании единой системы уравнений в предположении, что отклонения от равновесия малы по срап-нению с равновесной концентрацией основных носителей тока. [11]
На рис. 41 приведены отклонения концентраций и температур от начального состояния в различные моменты времени при различных возмущениях в инвариантных системах управления. [12]
В зависимости от величины отклонения концентрации и температур от оптимальных пластины могут либо сужаться, либо расширяться к периферии стержня. Промежутки между пластинами заполнены дендритами с различной степенью отклонения направления роста от радиального. В результате травления таких образцов в 10 % - ном растворе NaOH выявлено, что пластины, как правило, являются двойниками. Форма фронта кристаллизации пластин и растущих в промежутках дендритов резко различается. Поверхность дендритов настолько шероховата, что выглядит совершенно матовой. В крупных дендритах хорошо видны ветви второго, третьего и даже четвертого периода. [13]
При этом добиваются минимизации отклонений вычисляемых концентраций ( или скоростей реакций) от опытных значений с учетом ограничений, отражающих частные контрольные требования. Считается [19,21,167], что наиболее вероятным будет тот механизм, для которого среднее отклонение минимально. [14]
Возникновение перенапряжения кристаллизации объясняется отклонением концентрации ад-атомов сад от равновесной концентрации сад. [15]
Страницы: 1 2 3 4