Большая Энциклопедия Нефти и Газа

Закон Вейлера: Для человека нет ничего невозможного, если ему не надо делать это самому. Законы Мерфи (еще...)

Отклонение - распределение

Cтраница 4

Вторая группа охватывает микроскопические неустойчивости, которые связаны с отклонением распределения плазменных частиц от изотропного максвелловского распределения. Они обусловлены стремлением неравновесной системы перейти в равновесное состояние и свести к минимуму величину, которую можно назвать градиентом давлений в пространстве импульсов. Некоторые из кинетических неустойчив остей связаны с протеканием через плазму токов и будут проявляться в явлениях типа аномальной диффузии поперек поля.  [46]

Заметное отличие от нуля величин St и Ek указывают на отклонение распределения от нормального.  [47]

Некоторые ядра обладают электрическим квадруполь-ным моментом, что указывает на отклонение распределения заряда от сферического.  [48]

Высота и форма пика на электронной циклотронной частоте являются мерой отклонения распределения электронов по скоростям от максвелловского. Непрерывный фон служит мерой средней энергии электронов. Наклон этого фона показывает, что средняя энергия уменьшается с ростом аксиального магнитного поля.  [49]

Константа ядерного квадрупольного взаимодействия ( eq Q) характеризует степень отклонения распределения электронов относительно ядер от сферически симметричного. Она равна нулю для галоген-ионов, достаточно велика в случае чисто ковалентных соединений типа галогенов, а для полярных молекул, например метилгалогенидов, является промежуточной по величине. Константу ядерного квадрупольного взаимодействия можно, по-видимому, считать более строгой качественной характеристикой ионно-сти связи С - X, чем дипольный момент, поскольку она непосредственным образом связана с моментом С - Х - связи. С другой стороны, уменьшение величины ( eq Q) служило бы убедительным доказательством того, что связь С - X приобрела более ионный характер.  [50]

В заключение отметим, что критерий Бартлетта довольно чувствителен к отклонению распределений от нормального закона, поэтому к его выводам следует относиться с осторожностью.  [51]

Отмеченная в § 10.4 неустойчивость оценок х и s к отклонениям распределения хг от нормальности снижает практическую ценность изложенного критерия.  [52]

Электрический квадрупольный момент Q ядра является константой ядра атома, характеризующей отклонение распределения электрического заряда ядра от сферической симметрии.  [53]

Электрический ток, возникающий под влиянием электрического ноля, связан с отклонением распределения электронов по скоростям от макснелловского. На беспорядочное тепловое движение электронов накладывается движение, вызванное электрическим полем. В теории Лоренца средняя скорость дрейфа электронов в ноле, так же как и в теории Друде, пропорциональна напряженности ноля.  [54]

Робастные методы построения зависимостей специально разработаны для тех случаев, когда возможны отклонения распределений погрешностей от заданных ( как правило, нормальных) или присутствуют грубые погрешности и промахи. Как известно в этих случаях МНК также приводит к результатам, имеющим большие погрешности, и не позволяет их правильно оценить.  [55]

Для выбора оценки на основе исходных данных вычисляют статистику, характеризующую степень отклонения распределения от тауссовского, и в зависимости от нее выбирают уровень усечения.  [56]

Некоторые атомные ядра имеют еще и электрический квадруполь-ный момент, являющийся мерой отклонения распределения заряда внутри ядра от сферически симметричного распределения.  [57]

Схематическое изображение изгиба зон вблизи границы раздела полупроводник - диэлектрик. Сплошная линия - край зоны проводимости, штриховая - соответствующий изгиб зон, обусловленный только неподвижными зарядами обедненного слоя. Схема а соответствует случаю, когда смещение на подложке равно нулю. При отрицательном смещении на подложке Кподл уровень Ферми и край зоны проводимости в объеме лежат выше по сравнению со своими положениями на поверхности. Структура энергетических зон в приповерхностной области полупроводника в увеличенном масштабе приведена на схеме б, где параметры соответствуют некоторым слагаемым, входящим в соотношение, описывающее изгиб зон в обедненном слое. В частности, V -, - 4тЛ е2гср / хпп - вклад электронов инверсионного слоя в потенциальную энергию при г 0.  [58]

Наконец, можно уточнить выражения для потенциала обедненного слоя, приняв во внимание отклонение распределения легирующих акцепторов от однородного. Такое отклонение возникает, например, из-за перераспределения примесей при окислении поверхности ( см., например, [1163] и цитированную там литературу), но в теории инверсионных слоев этот эффект обычно не учитывается. Влиянием неоднородности легирования полупроводника в обедненном слое можно, вообще говоря, пренебречь, если значение Л, используемое в (3.10) и (3.11), дает ту же величину заряда обедненного слоя, которая следует из решения уравнения Пуассона для реального распределения легирующей примеси.  [59]

Эти два метода в своей основе различны, поскольку параметры разложения совершенно разные: отклонение начальных и граничных распределений от однородного распределения в случае линеаризации и отношение средней длины или среднего времени свободного пробега к другим характерным длинам или временам в случае разложения Чепмена - Энскога. Таким образом, локальные градиенты в последнем случае и глобальные разности в первом должны быть малы.  [60]

Страницы:      1    2    3    4