Cтраница 1
Сильные отклонения от правила Траубе наблюдаются при переходе от С2Н5СООН к С3Н7СООН, от СНзОН и С2Н5ОН к С3Н7ОН, и от АЦ к МЭК, где на границе Bi / раствор коэффициент правила Траубе почти в два раза ниже, чем для более высоких членов гомологического ряда. Этот эффект можно объяснить тем, что атомы кислорода функциональной группы ( ОН, СООН, СО) в молекулах этих соединений, в отличие от более высоких гомологов, находятся относительно близко к поверхности Bi и сильно взаимодействуют с ней. Специфическое взаимодействие функциональной группы с Bi приводит к повышенной поверхностной активности первых членов гомологического ряда по сравнению с границей раствор / / воздух. [1]
Сильные отклонения от закона Бэра обычно обусловлены тем, что там, где предполагается наличие лишь одного типа хромофоров, на самом деле их присутствует несколько. [2]
Сильные отклонения от экспериментальных значений имеются в тех случаях, когда образование комплекса затруднено из-за появления стерических препятствий при взаимодействии компонентов. [3]
Сильное отклонение от закона Бера наблюдается при разбавлении растворов неустойчивых окрашенных соединений. [4]
![]() |
Влияние степени. [5] |
Сильное отклонение от закона Бера наблюдается при разбавлении растворов неустойчивых окрашенных соединений. Так, для 0 1 Л / раствора малоустойчивого роданидного комплекса железа ( К 9 - 10 - 4) даже двухкратное разбавление вызывает отклонение от закона Бера на 2 - 3 о, в то время как для 0 1 М раствора очень прочного салицилатного комплекса железа ( К 4 - 10 17) отклонений от закона Бера не наблюдается даже при разбавлении в 500 раз. [6]
![]() |
Диаграмма трехкомпонентной системы с образованием тройного комплекса XYZ2.| Разрез тройной диаграммы по линии XY-Z. [7] |
Сильное отклонение от аддитивности или от предположений о простом конкурентном взаимодействии в трехкомпонентной системе наблюдается обычно для высоковалентных элементов, а также для многих ионов переходных элементов, особенно с нечетным числом электронов на d - подуровне в данном валентном состоянии. [8]
Сильное отклонение от закона Бера наблюдается при разбавлении растворов неустойчивых окрашенных соединений. [9]
Сильное отклонение величины - фактора of ge показывает, что неспаренный электрон локализован в значительной степени на атоме S. Из анализа формы линии следует, что асимметрия вызвана анизотропией - фактора, причем g - тензор характеризуется аксиальной симметрией. [10]
Исключительно сильные отклонения находим мы у некоторых циклических кетонов. [11]
Сильное отклонение системы растущее покрытие - среда от равновесия позволило в гипертрофированной форме выявить те аномалии роста кристаллов, которые наблюдаются почти в скрытой форме при выращивании кристаллов в условиях, близких к рановесию. Не исключено, что при еще более неравновесных условиях, которые не достигаются в принятых методах нанесения покрытий, могут быть выявлены и другие, мало заметные в обычных условиях явления, сопровождающие рост кристаллов. [13]
Сильное отклонение временного порядка от истинного свидетельствует об ингибировании эпоксидирования образующимися в ходе реакции продуктами. [15]