Допустимое отклонение - сопротивление
Cтраница 2
 |
Многопредельный шунт с отдельными выводами. [16] |
Число класса точности обозначает допустимое отклонение сопротивления в процентах от его номинального значения. [17]
Число, обозначающее класс, указывает допустимое отклонение сопротивления меры от номинального значения в рабочем диапазоне температур. [18]
 |
Схемы многопредельных шунтов. [19] |
Число, определяющее класс точности, обозначает допустимое отклонение сопротивления шунта в процентах его номинального значения. [20]
Резисторы характеризуются номинальной величиной сопротивления; классом точности ( к I классу относятся резисторы с допустимым отклонением сопротивления от номинального значени-я до 5 %, ко II классу - до 10 %; к III классу - до 20 %); номинальной мощностью рассеяния и некоторыми другими данными. [21]
Предельная величина допустимых отклонений сопротивления постоянному току должна отвечать приведенным ниже нормам. [22]
Переносные шунты на ток 75 а изготовляются на падение напряжения между потенциальными зажимами шунтов 45 или 75 мв. Класс точности шунта показывает допустимое отклонение сопротивления шунта от номинального значения, выраженное в процентах, при температуре окружающей среды от 10 до 35 С для любой нагрузки, не превышающей номинальную. [23]
Методика измерения приведена выше. В табл. 6.3 приведены нормы допустимых отклонений сопротивления постоянному току. [24]
Цифра после буквы Е означает число номинальных значений в данном ряду. Фактические значения сопротивлений могут отличаться от номинальных в пределах установленных допусков. Ряд допустимых отклонений сопротивления от номинальных значений также нормализован. [25]
Однако, если предположить, что источник 1Л имеет малое внутреннее сопротивление и, следовательно, напряжение базы точно установлено, насыщения можно избежать следующим образом ( фиг. Предположим, что должен включаться и выключаться ток 10 ма на нагрузке RL. При V - 0 5 в предположим, что Ti заперт и весь ток через RA течет в Дь Если Дл - диод типа T7G ( фиг. А так как база транзистора находится под напряжением 0 5 в эмиттерный переход Ti имеет обратное смещение 0 2 в, и предположение, что TI заперт, справедливо. Для того чтобы включить 10 ма в нагрузку RL, единственное, что необходимо сделать, это понизить V настолько, чтобы создать обратное напряжение на диоде Дь Фиг. Поэтому при V - - 0 5 e - VE равно - 0 25 в, к Д ] приложено обратное напряжение, и весь ток, протекавший через RA, течет теперь через транзистор в RL. Для гарантии того, что при одновременном допустимом отклонении сопротивления и напряжения в наилучшую сторону напряжение коллектора никогда не станет положительным относительно базы, максимальное напряжение Vc принимается равным - 0 6 в, при этом обратное смещение коллектора составляет еще 0 1 в. Необходимо проверить, не будет ли при включенном транзисторе и допустимом отклонении напряжения и сопротивления в противоположные стороны напряжение на коллекторе настолько большим, что превысится допустимая для транзистора мощность рассеяния. [26]
Страницы: 1 2