Открытие - транзистор
Cтраница 1
Открытие транзистора VT9 приводит к автоматическому открытию транзистора VT2 и выходного транзистора VT3, вышеуказанный процесс повторяется. [1]
 |
Пояснительная диаграмма к параметрам скорости переключения транзистора. [2] |
Открытие транзистора IGBT происходит следующим образом. Пока напряжение затвор-эмиттер равно нулю, транзистор закрыт. [3]
Имитация открытия транзистора может быть также выполнена посредством шунтирования изолированным проводником его выводов эмиттер - коллектор. Закрытия транзистора наиболее просто добиться, закорачивая егр выводы эмиттер - база. Постепенно устанавливая факт работоспособности каждого узла, доходят до места неисправности и устраняют ее. Преимуществом данного способа является дополнительное усвоение принципов действия разработанного устройства, а недостатком - большие затраты-времени на поиск неисправности, если она находится в узле, близком к входу. [4]
С открытием транзистора ПП1 ( цепь тока: клеммы 3, R6, R5, переход эмиттер - коллектор ПП1 ( ОУ), резистор R2, стабилизатор напряжения ПП4 - ПП5, - клеммы 4) уменьшается ток базы составного транзистора ПП2 - ППЗ, что вызывает уменьшение коллекторного тока транзистора ППЗ. [5]
С открытием транзистора Т2 замыкается цепь положительной обратной связи: снижение потенциала на коллекторе вследствие уменьшения тока передается на эмиттеры, что ведет к дальнейшему уменьшению тока и так далее, вплоть до окончания лавинообразного процесса опрокидывания триггера, при котором транзистор 7 закрывается. [6]
При открытии транзистора TI транзистор Т2 вновь закрывается, восстанавливая первоначальный потенциал коллектора. Передний фронт формируемого таким образом импульса в зависимости от величины приложенного управляющего напряжения t / per перемещается в пределах 0 - 170 эл. [7]
Последняя форсирует открытие транзистора и переход его в режим насыщения, так как является прямой по отношению к эмиттерно-базовому переходу транзистора. Одновременно заряжается конденсатор С. [8]
 |
Индуктивная нагрузка транзистора MOSFET. [9] |
Конечное время открытия транзистора и определяет потерн на нем. [10]
Она написана до открытия транзисторов л до создания последовательной теории выпрямляющего действия контакта полупроводник-металл и явлений в р-п переходах. [11]
Она написана до открытия транзисторов и до создания последовательной теории выпрямляющего действия контакта полупроводник-металл и явлений в р-п переходах. [12]
 |
Преобразователь напряжения в частоту, собранный по схеме Роера. [13] |
Это приводит к открытию транзистора Tz и нарастанию его коллекторного тока до тех пор, пока не прекратится увеличение магнитного потока противоположного направления ( достигается состояние отрицательного магнитного насыщения - Фщах) - После этого начинается новый период колебания. [14]
В первые годы после открытия транзисторов, когда широко применялись подобные контакты, велись интенсивные исследования явления инжекции неосновных носителей тока контактами металл - полупроводник. Эти методы будут рассмотрены в гл. [15]
Страницы: 1 2 3 4