Cтраница 1
Отдельные транзисторные блоки не допускают ремонта на месте установки - это панели с печатным монтажом, залитым компаундом. В случае неисправности элемента у такого блока изменяются его электрические параметры, измерение которых может производиться с зажимов контрольного разъема. [1]
Схема нейтрализации каскадов УПЧИ. [2] |
Транзисторный блок ПТК имеет значительно меньшее усиление, чем ламповый - Для получения необходимого усиления в схемах УПЧИ используют от 3 до У транзисторов. [3]
Транзисторный блок системы зажигания представляет собой электронный ключ. [4]
Транзисторный блок управления ТБУ предназначен для формирования, стабилизации и импульсной модуляции входного сигнала управления магнитным усилителем А в зависимости от требований технологического процесса сварки. Сигнал задания в транзисторный блок управления поступает от блока задания сварочного тока БЗТ. Транзисторный блок управления представляет собой усилитель-модулятор на транзисторах. Для стабилизации температурного режима транзисторы этого блока охвачены отрицательной обратной связью, обеспечивающей минимальное напряжение ( 2 5 - 3 В) между эмиттером и коллектором. [5]
Схемы приема на дециметровых волнах. [6] |
В новых транзисторных блоках СКМ для целей АПЧГ применяется электронная подстройка частоты гетеродина с помощью варикапов. Благодаря применению специальных транзисторов и хорошей конструкции колебательных контуров уровень собственных шумов транзисторных СКМ оказывается немногим больше, чем в ламповых блоках. [7]
При анализе условий эксплуатации транзисторного блока основное внимание следует уделять диапазону рабочих температур. При температуре до 70 С используются германиевые транзисторы, до 100 - 120 С - кремниевые. Кремниевые транзисторы по сравнению с германиевыми лучше работают при высоких температурах, имеют более высокие пробивные напряжения и на один-два порядка меньше / ко. Однако их р1 более резко падает при низких температурах - ( 20 - т - 60) е С и малых токах. Кремниевые транзисторы имеют меньший частотный предел, более высокое сопротивление насыщения и большие шумы. Предельная частота транзистора определяется его типом, схемой включения ( ОЭ, ОБ, ОК), режимом по постоянному току и должна соответствовать требованиям схемы. Не следует применять высокочастотные транзисторы там, где могут работать низкочастотные. Исключение составляют случаи, когда требуется получить малые шумы. [8]
Существенно важной частью блока БУБ-1 является транзисторный блок БТ-1, выполненный в виде основания коробчатой формы, на котором смонтированы элементы бесконтактной схемы ( диодная и блокировочная платы, переключатели режимов) и установлена печатная плата. Сочленение платы с блоком выполнено на разъемах, что обеспечивает быстросъемность платы при необходимости ее замены. [9]
В настоящее время все западно-европейские фирмы выпускают только транзисторные блоки ПТК. [10]
Однако практика показала, что запуск двигателя с транзисторным блоком электронного зажигания достаточно надежно осуществляется и без замыкания резистора-вариатора. Поэтому перед установкой кнопок следует убедиться в необходимости их применения. [11]
В связи с появлением видиконов с полностью электростатическим управлением пучком сейчас разработаны простые и экономичные транзисторные блоки разверток для формирования напряжений пилообразной формы, различной полярности и одинаковой величины, подаваемых на отклоняющие пластины видикона. [12]
Транзисторный блок управления ТБУ предназначен для формирования, стабилизации и импульсной модуляции входного сигнала управления магнитным усилителем А в зависимости от требований технологического процесса сварки. Сигнал задания в транзисторный блок управления поступает от блока задания сварочного тока БЗТ. Транзисторный блок управления представляет собой усилитель-модулятор на транзисторах. Для стабилизации температурного режима транзисторы этого блока охвачены отрицательной обратной связью, обеспечивающей минимальное напряжение ( 2 5 - 3 В) между эмиттером и коллектором. [13]
КРУ является применение транзисторных элементов для устройств релейной защиты и системной автоматики. Опытные партии КРУ с применением транзисторных блоков, разработанных институтами ВНИИэлектропривод и ВНИИрелестроения ( ВНИИР) и изготовленных Чебоксарским электроаппаратным заводом ( ЧЭАЗ), были выпущены МЭЩ в 1965 г. и поставлены в опытную эксплуатацию на Игнатьевскую подстанцию Мосэнерго и для с. [14]
Схема амплитудного селектора. [15] |