Отношение - подвижность - носитель
Cтраница 1
Отношение подвижности носителей к теплопроводности может быть увеличено введением нейтральных примесей. [1]
Если отношение подвижностей носителей тока Ь, как, например, в InSb, велико, то эффективный коэффициент диффузии в собственном полупроводнике приблизительно равен коэффициенту диффузии дырок, несмотря на то, что коэффициент диффузии электронов имеет значительно большую величину. [2]
 |
Зависимость теплопроводности и подвижности носителей тока от состава в системе РЬТе-PbSe. [3] |
Повышение отношения подвижности носителей к теплопроводности кристаллической решетки путем образования твердых растворов иллюстрируется на рис. 15 на примере твердого раствора теллу-ристого и селенистого свинца. [4]
В любом полупроводниковом веществе отношение подвижности носителей к теплопроводности кристаллической решетки может быть увеличено за счет введения нейтральных примесей. Эти примеси увеличивают эффективность рассеяния упругих волн, что ведет к уменьшению теплопроводности в кристалле. С другой стороны, эти нейтральные примеси не должны оказывать значительного действия на рассеяние основных носителей. Роль нейтральных примесей может играть ряд изоморфных соединений, образующих с основным веществом термоэлемента твердые растворы. [5]
Таким образом удается добиться значительного увеличения отношения подвижности носителей к теплопроводности кристаллической решетки. [6]
Согласно ( 37), эффективность термопары ( z) пропорциональна отношению подвижности носителей к теплопроводности кристаллической решетки; z достигает максимального значения при определенной концентрации носителей. [7]
Из теории энергетических применений полупроводниковых термопар А. Ф. Иоффе следует, что эффективность термопар при использовании их в термоэлектрогенераторах и термоэлектрических холодильниках пропорциональна отношению подвижности носителей электричества к теплопроводности кристаллической решетки ветвей термопары. Эффективность пары достигает максимального значения при определенной концентрации носителей, при которой термоэлектродвижущая сила каждой из ветвей составляет приблизительно 200 мкв / град. [8]
 |
График зависимости коэффициента термоэдс as от концентрации носителей заряда пе для полупроводников. [9] |
Следовательно, максимальная эффективность полупроводникового материала обеспечивается при условии достижения оптимальной концентрации носителей заряда в диапазоне рабочих температур и получения наибольших значений отношения подвижности носителей заряда к теплопроводности кристаллической решетки. [10]
Когда проводимость обусловлена как отрицательными ( электронами), так и положительными ( дырками) носителями тока, что имеет место в собственных полупроводниках или близких к ним веществах, плотность носителей нельзя определить непосредственно, если не известно отношение подвижностей носителей. [11]
Приведены уравнения, описывающие в приближении двухзонной модели температурную зависимость эффективного заряда ионов металлов или компонентов однофазных сплавов, мигрирующих в процессе электропереноса, а также уравнения для температурной зависимости электропроводности. Рассмотрены случаи постоянства и изменения с температурой отношения подвижностей носителей тока обоих сортов. Изложены некоторые экспериментальные методики изучения параметров электропереноса и некоторые данные экспериментов и расчетов. Кратко-описаны уравнения, позволяющие распространить исследования на двухфазные сплавы. [12]
Статья ( совместная с Л. С. Стильбансом) опубликована в Rep. В ней рассматриваются физические проблемы возникшие и решенные в связи с разработкой материалов для термоэлементов: пути повышения отношения подвижности носителей к теплопроводности кристаллической решетки, влияние на термоэлектрическую эффективность собственной проводимости, вырождения, различные механизмы теплопроводности. Подробно рассматриваются наиболее эффективные материалы для термоэлементов. [13]
 |
Эквивалентная схема фотоэлемента.| Световые характеристики фотоэлемента.| Датчик Холла. [14] |
Если в цепи контактов / - / течет ток h, а датчик находится в магнитном поле, индукция которого перпендикулярна плоскости пластины, то на электродах 2 - 2 возникает ЭДС. Напряжение Холла между продольными гранями пластины при холостом ходе Um ( RH / d) I ] B, где RH - постоянная Холла, равная отношению подвижности носителей к удельной проводимости материала. [15]
Страницы: 1 2