Отношение - подвижность - электрон
Cтраница 1
Отношение подвижностей электронов и дырок в Mg2Si равно от 4 5 до 5; величина этого отношения для Mg2Ge меняется с температурой. [1]
Здесь е - отношение подвижности электронов к подвижности дырок; - л - отношение концентрации электронов к концентрации дырок. [2]
В некотором полупроводнике, отношение подвижностей электронов и дырок равно двум и эффект Холла не обнаруживается. [3]
Це / ц /, - отношение подвижностей электрона и дырки соответственно; D - коэффициент диффузии дырок; jj, - подвижность дырок; s - скорость поверхностной рекомбинации, t - толщина образца. Ясно, что когда подвижности дырки и электрона равны, то b 1 и потенциал Дембера исчезает. Если под s понимать скорость процесса разрядки на электродах, то это выражение, по-видимому, справедливо для антрацена. Хотя в настоящее время подвижности известны достаточно хорошо, скорость поверхностной рекомбинации не найдена. [4]
Теллур характеризуется инверсией эффекта Холла вследствие изменения отношения подвижностей электронов и дырок с ростом температуры. При достижении температуры начала собственной проводимости ( температура, близкая к комнатной) знак постоянной Холла меняется с положительного на отрицательный. Это связано с большей подвижностью электронов по сравнению с подвижностью дырок. Выше 523 К постоянная Холла еще раз меняет знак, вновь становясь положительной. Содержание примесей оказывает влияние на первую точку и не оказывает на вторую. [5]
Теллур отличается характерной для него инверсией эффекта Холла благодаря изменению отношения подвижностей электронов и дырок с повышением температуры. [6]
 |
Постоянная Холла при 77 К для кристаллов HgTe, отожженных при различных температурных условиях и давлении ртути ( Родо. [7] |
Объяснение его свойств осложнено нулевым значением собственной энергии активации Wt и большим значением отношения подвижностей электронов и дырок. На рис. 40 показаны результаты отжигов. При высоких температурах отжига появляются новые дефекты. Проверено, что HgTe всегда содержит значительную концентрацию нейтральных дефектов. [8]
Записано в виде: До Mpjip ( 1 Ь), где Ь - отношение подвижностей электронов и дырок. [9]
 |
Условия наблюдения эффекта Бенедикса. [10] |
В формулах (1.16), (1.17) ka - постоянная Больцмана, е-заряд электрона, b0 - отношение подвижностей электронов и дырок, л - равновесная концентрация электронов, р, р2 - концентрации дырок при температурах Tj и Та, Qn, Q - средние значения кинетической энергии, переносимой электроном и дыркой. [11]
Как оказалось, подвижность дырок при температурах ниже 300 К также следует закону fi s & T1 6, причем величина отношения подвижностей электронов и дырок Ь, как показано выше, несколько меняется от образца к образцу. В области более высоких температур подвижность дырок уменьшается при повышении температуры быстрее, чем подвижность электронов, так что величина отношения Ъ растет. [12]
В соответствии с одной из теорий в полупроводнике вблизи коллекторного перехода существует такое распределение ловушек, захватывающих дырки, что это весьма повышает отношение подвижностей электронов и дырок при малых уровнях эмиттерного тока 1е, так как дырки некоторое время удерживаются на ловушках. Другая теория допускает существование у коллекторного электрода п-р - п структуры. Тонкая р-область играет здесь роль потенциальной ямы, в которой задерживаются дырки. [13]
Покажите, что для невырожденного полупроводника, содержащего значительное количество как электронов, так и дырок, проводимость будет минимальна при паип п 1Уь, где Я; - число электронов в собственном полупроводнике при данной температуре, а Ъ - отношение подвижности электронов к подвижности дырок. [14]
У полупроводника чем выше отношение подвижности электронов к фононной части теплопроводности, тем больше он подходит для термоэлементов. Можно оценить влияние примесных атомов: каждый из них для фононов представляет собой дополнительный центр рассеяния с площадью поперечного сечения ра2, где а - постоянная решетки. [15]
Страницы: 1 2