Отношение - приращение - ток
Cтраница 3
 |
Статические характеристики магнитных усилителей. [31] |
Рассмотрим коротко эти параметры. Коэффициент усиления - это отношение приращения тока, напряжения или мощности в нагрузке к приращению соответствующего параметра в цепи управления. [32]
 |
Упрощенная схема дифференциального вольтметра. [33] |
Чувствительность индикатора определяется применяемым измерителем, следовательно, для определения S необходимо найти чувствительность компенсационной цепи SK. Чувствительность компенсационной цепи определяется отношением приращения тока в индикаторе Д /, возникающего. [34]
При измерении коэффициента усиления испытуемый транзистор включают по схеме с общим эмиттером. Усилительные свойства транзистора определяются отношением приращений токов коллектора и базы. [35]
Средняя крутизна характеристики 5 показывает отношение приращения тока коллектора к вызвавшему его изменению напряжения на эми-терном переходе. Указывается главным образом для мощных усилительных транзисторов в форме динамического параметра, измеряемого при определенном нагрузочном сопротивлении в цепи коллектора. [36]
Коэффициент усиления по току биполярного транзистора в схеме ОБ а является интегральным ( статическим) параметром, поскольку представляет собой отношение постоянных токов. Существует и дифференциальный коэффициент усиления, который представляет собой отношение приращений тока в коллекторе и эмиттере. Хотя статический и дифференциальный коэффициенты усиления несколько отличаются, их принято для схемы ОБ обозначать одинаково - а. В дальнейшем будем различать статический и дифференциальный коэффициенты а лишь тогда, когда это принципиально необходимо. [37]
В результате появляется зависимость коэффициента передачи ао от постоянного смещения на коллекторе или величины1 сопротивления нагрузки в цепи коллектора при фиксированном напряжении питания. Кроме того, между коллектором и базой появляется дополнительная проводимость, определяемая как отношение приращения тока коллектора к прир а-шению напряжения на коллекторе. [38]
 |
Схемы включения транзисторов. [39] |
Важнейшими характеристиками транзистора являются обратный ток коллектора, коэффициент усиления по току, частота и мощность рассеяния. Обратным током коллектора называется ток, проходящий по переходу коллектор - база при включении транзистора по схеме с общей базой. Коэффициент усиления по току выражается отношением приращения тока в цепи выходного электрода к приращению тока в цепи входного электрода транзистора. [40]
На практике гораздо чаще используют триоды, включенные не по схеме с общей базой, как это было рассмотрено выше, а по схеме с общим эмиттером. Ток коллектора остается по-прежнему выходным током. Усиление по току для этой схемы будет определяться, очевидно, отношением приращения тока коллектора к вызвавшему его приращению тока базы. [41]
В заключение данного параграфа обратим внимание на то, что, определяя связь между параметрами четырехполюсника и транзистора, мы не учитывали фазовых соотношений. В реальном транзисторе фазы токов на входе и на выходе находятся в зависимости от варианта включения. Предположим, что за положительную фазу тока нами принята фаза тока, втекающего в транзистор, за отрицательную - вытекающего. Ток эмиттера втекает в транзистор, тогда как рекомбинационный ток базы и ток коллектора вытекают из транзистора. В схеме с общей базой отношение приращений токов должно иметь отрицательный знак, тогда как в схеме с общим эмиттером отношение приращения токов должно иметь положительный знак. [42]
В заключение данного параграфа обратим внимание на то, что, определяя связь между параметрами четырехполюсника и транзистора, мы не учитывали фазовых соотношений. В реальном транзисторе фазы токов на входе и на выходе находятся в зависимости от варианта включения. Предположим, что за положительную фазу тока нами принята фаза тока, втекающего в транзистор, за отрицательную - вытекающего. Ток эмиттера втекает в транзистор, тогда как рекомбинационный ток базы и ток коллектора вытекают из транзистора. В схеме с общей базой отношение приращений токов должно иметь отрицательный знак, тогда как в схеме с общим эмиттером отношение приращения токов должно иметь положительный знак. [43]
Разработке приборов и устройств непрерывного контроля изоляции в последние годы уделяется большое внимание во всех странах. В последнее время предложено довольно много различных схем устройств непрерывного контроля изоляции. Основные свойства и особенности этих схем определяются видом тока, проходящего по измерительной цепи и реле и зависящего от сопротивления изоляции и емкости контролируемой сети. По величине этих токов градуируются контрольно-измерительные приборы и выбираются уставки реле устройств и приборов непрерывного контроля изоляции. Нахождение аналитической или экспериментальной зависимости между током измерительной схемы и сопротивлением изоляции сети относительно земли является главной задачей, которую необходимо решать, чтобы исследовать, рассчитать и разработать любое современное устройство непрерывного контроля изоляции. Располагая этой зависимостью, легко также установить главную характеристику прибора - чувствительность как отношение приращения тока измерительной цепи к приращению сопротивления изоляции сети. [44]
Использование газовой окислительной среды на конечном этапе диффузионного процесса приводит к окислению поверхности. Толщина слоя окисла составляет примерно 1 мкм. Затем вновь повторяют операции фотолитографии и избирательного травления для удаления слоя двуокиси кремния под зонами истока и затвора. Повторяя операцию окисления, формируют слой окисла, который служит диэлектриком, разделяющим контактный наружный слой ( затвор) и область будущего канала в кристалле кремния. Толщина слоя диэлектрика составляет обычно 1 4 - М 5 мкм. Этот слой является наиболее критичным элементом МОП-структуры, так как толщина диэлектрика существенно влияет на крутизну характеристики МОП-транзистора. Крутизна характеристики равна отношению приращения тока стока к соответствующему повышению напряжения на затворе. Она является мерой быстродействия устройства и зависит от точности выполнения соответствующих операций технологического процесса. [45]
Страницы: 1 2 3