Отношение - проводимость
Cтраница 2
Подобие электрических полей в условиях неоднородной среды в отношении проводимости является задачей, которая детально не обсуждается в данной монографии. [16]
Линии напряженности электрического поля, а в однородной в отношении проводимости среде и линии тока проводят перпендикулярно поверхностям равного потенциала. На поверхности среды линии тока лежат в этой поверхности, и, следовательно, они перпендикулярны к линиям равного потенциала на этой поверхности. [17]
Материал в исследуемом объеме должен быть однородным и изотропным в отношении проводимости и должен иметь плоскую поверхность; поверхностные токи между электродами должны отсутствовать. [18]
Для расчетов по формуле ( 111 4) следует предварительно определить отношение проводимостей Г1 2 / Г2 з по формуле ( 111 2) на период отсутствия инфильтрации. [19]
Соединение TTF - TCNQ остается металлическим, по крайней мере в отношении проводимости вдоль оси стопок, до Т 53 К. При Т 53 К его проводимость быстро падает, указывая на наступление пайерлсовской неустойчивости ( см. разд. [20]
Та - постоянная времени объекта; ф д / Та; 0 - отношение проводимостей входных дросселей усилителя первого каскада; ( л, - ход рейки топливного насоса; I - время разгона объекта; т - запаздывание; X - относительное изменение нагрузки двигателя. [21]
Если наполнитель обладает значительно большей проводимостью, чем матрица, то необходима дополнительная модификация уравнения; при значении отношения проводимостей наполнителя и матрицы около 100 наблюдали заметные отклонения от расчета, в то время как обычные отношения от 2 до 1 оказывают пренебрежимо малый эффект. [22]
Далее, если наибольший капилляр заполнить второй фазой, имеющей ту же вязкость, что и первая фаза, можно вычислить отношение проводимости такой пористой среды для двух фаз к проводимости ее для случая, когда она заполнена одной фазой. [23]
Напряжение на выходе такого усилителя будет равно инвертированной сумме входных напряжений, взятых с весовыми коэффициентами, каждый из которых определяется отношением проводимости соответствующего входного резистора к проводимости резистора обратной связи. [24]
Из ф-лы (8.51) видно, что ухудшение отношения сигнал / шум в схеме с отрицательной обратной связью по сравнению с его значением в схеме без обратной связи в первом приближении определяется отношением проводимостей цепи обратной связи и источника сигнала. Для этого входные каскады усилителя целесообразно охватывать не местной, а общей обратной связью, что позволит обеспечить высокую стабильность работы усилителя при малой проводимости goc цепи обратной связи и, следовательно, при незначительном ухудшении отношения сигнал / шум. [25]
В случае полупроводников дефекты решетки можно рассматривать как новые примесные уровни; в соответствии с положением последних в запрещенной зоне дефекты будут действовать либо как донорные, либо как акцепторные центры или будут неэффективны в отношении проводимости. Часть нарушений, зависящих от типа твердых тел, на которые влияет концентрация одного или обоих типов свободных носителей тока, можно назвать эффективными нарушениями. Так, например, Джеймс и Ларк-Горовиц [69] показали, что вакансии, образующиеся при облучении германия и кремния, отличаются акцепторным характером, тогда как Соответствующие междоузельные атомы - донорным характером. Кроме того, дефекты решетки могут действовать как захватывающие центры по отношению к свободным носителям тока. [26]
В случае полупроводников дефекты решетки можно рассматривать как новые примесные уровни; в соответствии с положением последних в запрещенной зоне дефекты будут действовать либо как донорные, либо как акцепторные центры или будут неэффективны в отношении проводимости. Часть нарушений, зависящих от типа твердых тел, на которые влияет концентра-дия одного или обоих типов свободных носителей тока, можно назвать эффективными нарушениями. Так, например, Джеймс и Ларк-Горовиц [69] показали, что вакансии, образующиеся при облучении германия и кремния, отличаются акцепторным характером, тогда как соответствующие междоузельные атомы - донорным характером. Кроме того, дефекты решетки могут действовать как захватывающие центры по отношению к свободным носителям тока. [27]
Сравнение выражений для добротности этих двух звеньев с выражением для Q полосового звена, построенного на одном ОУ ( см. табл. 7 - 5, первая строка), показывает их идентичность в первом случае и близость по способу достижения заданной добротности ( увеличение отношения проводимостей резисторов) во втором. [28]
Знаменатель получает простой физический смысл, если учесть, что при замыкании фазы на землю на нейтрали появляется напряжение, общее для емкостной, индуктивной и активной проводимостей. Отношение проводимостей является и отношением токов. [29]
 |
Решение уравнения ( 6 - 35 для конкретных. [30] |
Страницы: 1 2 3 4