Отношение - фототок - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 4
Когда-то я был молод и красив, теперь - только красив. Законы Мерфи (еще...)

Отношение - фототок

Cтраница 4


К концу периода зарядки отношение напряжений на конденсаторах пропорционально отношению фототоков, а следовательно, и концентрации аргона в азоте. После зарядки конденсаторов замыкаются ключи Ki и / С2, и начинается разрядка конденсаторов на одинаковые сопротивления RI и RZ. Одновременно с замыканием ключей срабатывают реле Pi n Р2, включенные в анодные цепи выходных каскадов двух усилителей постоянного тока. Цепь питания записывающего устройства разомкнута. По мере разрядки конденсаторов падает выходной ток. Поэтому напряжение на конденсаторе С2 и, следовательно, выходной ток, текущий через реле Р-2, раньше достигают значений, при которых реле срабатывает, и цепь записывающего устройства замыкается. На барабане записывающего устройства прочерчивается линия, которая обрывается при срабатывании верхнего реле. Длина записанной линии пропорциональна разности времени разрядки конденсаторов t - 12 и, следовательно, пропорциональна логарифму отношения интенсивностеи сравниваемых линий.  [46]

47 Схема и вольт-амперные характеристики фотодиода.| Схема и вольт-амперные характеристики фототранзистора. [47]

Параметры фотодиода выражают через значения тока, протекающего в его цепи. Чувствительность фотодиода, которую принято называть интегральной, определяют как отношение фототока к вызвавшему его световому потоку Фа.  [48]

49 Схема и вольт-амперные характеристики фотодиода.| Схема и вольт-амперные характеристики фототранзисторэ. [49]

Параметры фотодиода выражают через значения тока, протекающего в его цепи. Чувствительность фотодиода, которую принято называть интегральной, определяют как отношение фототока к вызвавшему его световому потоку Фг.  [50]

51 Вольт-амперные характеристики фоторезисторов ние пропорциональность мезду световым током и световым потоком при малых освещенностях. На 10, в показано влияние нагрузки на зависимость светового тока от освещенности. Следует заметить, что при малых освещенностях сопротивление нагрузки не отражается на величинах световых токов. [51]

Чувствительность фоторезисторов является параметром, оп - ределяемым расчетным путем. Большинство авторов, например, [5, 7, 8, 23 ], опредечяют интегральную чувствительность как отношение фототока к световому потоку, и удельную чувствитель - ность, отнесенную к напряжению в I В.  [52]

Принято выражать параметры фотодиода через значения тока, протекающего в его цепи. Так, чувствительность диода, которую принято называть интегральной, определяют как отношение фототока к лучистому потоку, вызвавшему его.  [53]

Одна из них вырезает участок изображения области А, а другая - области В. Свет, проходящий через щели, направляется на два фотоумножителя ФУ, и измеряется отношение фототоков, которое соответствует отношению интенсивностей.  [54]

55 Удельные темновая ( 1 н фотопроводимости ( 2 н энергия активации проводимости ( J в зависимости от уровня легирования. Интенсивность света составляла 400 мВт / см2 [ 81.| Зависимость отношения модуляции фотопроводимости от уровня легирования. Отношение модуляции определяется как отношение токов ( вставку на рисунке. 1 - фототок. 2 - темновой ток, [ 8J. [55]

Результаты приведены на рис. 7.1.3 и 7.1.4. Из рис. 7.1.3 видно, что максимальное отношение фотопроводимости ( отношение фототока к темповому току) достигается на пленке, слабо легированной бором.  [56]



Страницы:      1    2    3    4