Cтраница 4
Молекулярные веса наиболее тяжелых соединений достигают нескольких тысяч. Отношение числа атомов водорода к числу атомов углерода у асфальто-смолистых веществ часто бывает меньше единицы. [46]
![]() |
Схемы транзисторов, изготовленных эпитаксиальным ( а и диффузионным ( б процессами. [47] |
При эпитаксиальном процессе атомы примеси вводятся в кристалл непосредственно в процессе выращивания пленки. Отношение числа атомов кремния к числу атомов примеси в газовой фазе можно легко регулировать и получать пленки с заданной концентрацией примесей. Изменяя содержание примеси в газовой фазе или ее тип, можно изменять характеристики эпитаксиальной пленки и создавать резкие р-п переходы, причем для этого не приходится прибегать к компенсации примесей. [48]
В этом отношении интересны наблюдения В. Т. Бурцева соавторов [182], которые на основании масс-спектрометри-ческих измерений пришли к заключению что при 1580 - 1680 С имеет место испарение соединений серы с железом. При этом отношение числа атомов Fe к S значительно превосходит единицу. [49]
В каждом сложном веществе ( независимо от способа его получения) сохраняются неизменными соотношения чисел атомов и масс атомов входящих в его состав элементов. При этом отношение чисел атомов различных элементов выражается небольшими целыми числами. Эти числа и определяют состав указанных сложных веществ. [50]
Если предположить, что различие в свойствах поверхностей металлов не зависит от способа их приготовления, то эти данные можно проанализировать, исходя из различий в межатомных расстояниях и электронной плотности обеих металлических поверхностей. Анализ значений отношения числа атомов металла к числу молекул газа на единице поверхности ( столбцы 3 и 4) показывает, что адсорбционная емкость единицы площади поверхности является наибольшей для системы аргон - цинк и наименьшей для системы азот-медь; это объясняется различиями в атомной структуре адсорбентов. [51]