Отношение - число - вторичный электрон
Cтраница 1
Отношение числа вторичных электронов, выбиваемых из динода, к числу первичных электронов определяет коэффициент вторичной электронной эмиссии а. Для получения коэффициента вторичной эмиссии больше единицы используют сурьмяно-цезие-вые, многощелочные пленочные диноды или диноды, у которых эмигрирующий слой образуется окислением сплавов на основе серебра, меди, алюминия с присадкой магния или бериллия. [1]
 |
Схема фотоэлектронного умножителя. [2] |
Отношение числа вторичных электронов к числу первичных называется коэффициентом вторичной эмиссии о. Последовательно и многократно повторяя такой процесс, можно получить значительное усиление электронного потока. Эта идея реализована в многокаскадных ФЭУ. [3]
Интенсивность вторичной эмиссии, зависящая от состава вещества и энергии первичных электронов, оценивается по коэффициенту вторичной эмиссии а, представляющему собой отношение числа вторичных электронов к числу первичных. Вещества с о 1 используются в качестве промежуточных эмиттеров в фотоумножителях. [4]
 |
Кривые послесвечения для различных люминофоров, применяемых в электронно-лучевых трубках.| Вольт-амперная характеристика газонаполненного диода с холодным катодом. [5] |
В области, где коэффициент вторичной эмиссии больше единицы, экран заряжается положительно по отношению к собирающему аноду до тех пор, пока количество возвращающихся на экран вторичных электронов не увеличится настолько, что отношение числа вторичных электронов к первичным не станет в точности равным единице. Вторичные электроны, не возвращающиеся на экран, притягиваются собирающим анодом, который представляет собой проводящее покрытие ( обычно аквадаг), нанесенное на внутреннюю поверхность баллона трубки вблизи экрана. [6]
 |
Прибор и электрическая схема. [7] |
Для количественной характеристики вторичной эмиссии вводят понятие о коэффициенте вторичной эмиссии. Эта величина определяется как отношение числа вторичных электронов, испускаемых данным телом, к числу падающих на него первичных электронов. [8]
При ударе достаточно быстрых электронов или ионов о какую-либо поверхность каждый из них может выбить из этой поверхности один или несколько электронов. Это явление называют вторичной эмиссией, поскольку электроны эмит-тируются поверхностью только при ударах других электронов или ионов. Отношение числа вторичных электронов к числу первичных зависит от типа поверхности и скорости первичных электронов и может изменяться от величины, меньшей 1, до 3 для чистых металлов и до 5 - 10 для поверхностей, состоящих из сложных щелочно-земельных соединений. [9]
Вторичной электронной эмиссией называют эмиссию электронов с поверхности металла при его бомбардировке электронами. Электроны, ударяющиеся о металл ( называемые первичными), сообщают свою энергию электронам в приповерхностном слое металла, которая оказывается достаточной для совершения работы выхода, и электроны ( называемые вторичными) покидают бомбардируемую поверхность. Отношение числа вторичных электронов к числу первичных называется коэффициентом вторичной электронной эмиссии. [10]
Запись цифры основана на явлении образования установившегося значения потенциала участка поверхности диэлектрика D, облучаемого электронным пучком. Их число может превышать число первичных электронов. Отношение числа вторичных электронов к числу первичных называется коэффициентом вторичной эмиссии и обозначается буквой а. На рис. 9.14, а показана зависимость а от U. При увеличении напряжения U коэффициент вторичной эмиссии а возрастает и становится больше единицы. При дальнейшем увеличении U величина з вновь убывает, гак как кинетическая энершя первичных электронов становится настолько большой, что они проникают в более глубокие слои диэлектрика, и вторичные электроны, образующиеся там, частично рассеиваются, не вылетая за пределы вещества. [11]
В одной из современных передающих трубок - суперортиконе - передаваемое изображение проектируется на полупрозрачный фотокатод. Под действием света из фотокатода выбиваются электроны, причем количество электронов, испускаемых за единицу времени каким-либо участком фотокатода, пропорционально освещенности этого участка. Фотоэлектроны ускоряются в сильном электрическом поле и, бомбардируя плоскую мишень, расположенную позади фотокатода параллельно ему, выбивают из нее вторичные электроны. Мишень изготавливается из полупроводника или диэлектрика с большим коэффициентом вторичной эмиссии, равным отношению числа вторичных электронов к числу первичных. В суперортиконе мишень сделана из стеклянной пленки толщиной в 1 - 2 мкм. [12]
В одной из современных передающих трубок - суперрртиконе - передаваемое изображение проектируется на полупрозрачный фотокатод. Под действием света из фотокатода выбиваются электроны, причем количество электронов, испускаемых за единицу времени каким-либо участком фотокатода, пропорционально освещенности этого участка. Фотоэлектроны ускоряются в сильном электрическом поле и, бомбардируя плоскую мишень, расположенную позади фотокатода параллельно ему, выбивают из нее вторичные электроны. Мишень изготавливается из полупроводника или диэлектрика с большим коэффициентом вторичной эмиссии, равным отношению числа вторичных электронов к числу первичных. [13]
 |
Семейство анодных характеристик типичного тетрода.| Ток экранирующей сетки в зависимости от напряжения на аноде для типичного тетрода. [14] |
При анодных напряжениях, превышающих 25 в, скорость электронов становится достаточной, чтобы вызвать вторичную эмиссию с поверхности анода. По мере роста анодного напряжения поток вторичных электронов с анода увеличивается быстрее, чем поток первичных электронов на анод. Пока экранирующая сетка находится под более высоким потенциалом, чем анод, почти все вторичные электроны с анода попадают на экранирующую сетку. Таким образом, анодная характеристика имеет участок, на котором увеличение анодного напряжения сопровождается уменьшением анодного тока nplt постоянном напряжении на управляющей сетке. На этом участке динамическое внутреннее сопротивление лампы ri отрицательно. Отношение числа вторичных электронов к первичным может при известных условиях быть больше единицы ( см. § 2 - 2д), вызывая перемену направления суммарного электронного потока вблизи анода. Чтобы обеспечить низкое отношение числа вторичных электронов к первичным, нужно подвергнуть материал анода специальной обработке. Как только напряжение на аноде начнет превышать напряжение на экранирующей сетке, число вторичных электронов, возвращающихся обратно на анод, будет быстро возрастать, и при напряжениях на аноде, только незначительно превышающих напряжение на экранирующей сетке, почти все вторичные электроны вернутся на анод. [15]
Страницы: 1 2