Отпирание - диод
Cтраница 1
Отпирание диода Д приводит не только к фиксации коллекторного напряжения, но и к существенному уменьшению базового тока транзистора. [1]
Отпирание диода происходит только при совпадении обоих сигналов: напряжения входного сигнала и строб-импульса. При отпирании смесительного диода Mi меняется заряд на интегрирующей емкости ( С18, С23) и паразитной емкости монтажа. Это изменение заряда будет пропорционально сумме мгновенных значений переменной амплитуды сигнала и постоянного напряжения строб-импульса. [2]
После отпирания диода дальнейший процесс включения транзистора сопровождается увеличением тока tK ( рис. 3.28, б) и почти таким же увеличением тока 1Л, а также незначительным уменьшением отрицательного потенциала коллектора; ток iR в первом приближении остается неизменным. [3]
 |
Схема диодного ключа, построенного на транзисторе с параллельно включенными переходами ( а, и эквивалентная схема диода ( б. [4] |
После отпирания диода формируется фронт выходного импульса, длительность которого определяется формулой (2.7) и составляет 7фр 60 не. Суммарное время задержки, вычисленное по формуле (2.8), равняется 12 не. [5]
 |
Схема параллельного диодного ограничителя по максимуму ( а и эпюры напряжения на его входе и выходе ( б. [6] |
После отпирания диода ( когда наступает ограничение сигнала) продолжительность переходных процессов не имеет определяющего значения, так как для получения качественного ограничения обычно параметры схемы выбирают так, чтобы после отпирания диода дальнейшие приращения выходного напряжения были значительно меньше его амплитуды. [7]
Потенциалы отпирания диодов подобраны таким образом, чтобы диоды открывались поочередно, шунтируя нагрузку R. При малом уровне подводимого сигнала диоды заперты, и коэффициент усиления каскада минимален, так как резистор Кэ создает отрицательную обратную связь, ослабляя усиление каскада. [8]
 |
ВАХ эмиттерного перехода дрейфового транзистора ( а и форма напряжения на его базе при пробое перехода ( б. [9] |
При отпирании диода резко уменьшается постоянная времени разряда конденсатора, а поэтому временем, необходимым для уменьшения напряжения от величины Есы - / бз б ПРИ которой отпирается диод, до U в о т, можно пренебречь. [10]
 |
Умножители частоты на варикапах. а - зависимость барьерной емкости р-л-перехода от обратного напряжения. б - последовательная схема умножителя. в - параллельная схема умножителя. [11] |
При частичном отпирании диода к зарядам р-п-перехода добавляются заряды в соседних р и п областях, вызванные диффузией неосновных носителей. Эта диффузионная емкость резко изменяется при малых изменениях управляющего напряжения ( на несколько порядков больше, чем барьерная емкость), но сильно уменьшается с ростом частоты, и на достаточно высоких частотах ее влияние можно не учитывать, особенно в диапазоне СВЧ. [12]
 |
Условное обозначение блока переменного коэффициента. [ IMAGE ] - 4. Условное обозначение блока запаздывания. [13] |
Точка А отпирания диода устанавливается соответствующим выбором запирающего напряжения. [14]
 |
Диодный преобразователь для немонотонной функции. а - схема. б - характеристика. [15] |
Страницы: 1 2 3 4 5