Отдельное отражение
Cтраница 2
На эту общую закономерность накладывается зависимость ослабления от внешней формы и ориентации кристалла, которая может очень существенно изменить соотношение между интенсивностями отдельных отражений. [16]
Хотя обратное отражение от малых сферических тел, таких, как капли дождя, зависящее от разрешающей способности радиолокационной станции, может быть довольно простым, из-за случайного распределения капель дождя и, следовательно, случайности фаз отдельных отражений от сфер, общее отражение энергии пропорционально сумме энергий ( но не полей), отражаемых от каждой капли. [18]
Для определения скоростей отдельных отражений временные окна Т выбирались сравнительно небольшими, не превышающими длительности отдельных отраженных импульсов. [19]
Интенсивность отражений для различных граней неодинакова и зависит от ряда факторов, вытекающих как из природы самого рассеяния, так и из строения кристалла и условий опыта. Изучение соотношения интенсивностей отдельных отражений играет весьма важную роль при определении структуры, о чем будет сказано ниже. [20]
Второй путь не требует составления и анализа специальных неравенств; на всех стадиях используется только равенство Захариасена. Для установления знаков отдельных отражений, вошедших в это равенство, привлекаются соотношения между знаками, вытекающие из симметрии кристалла ( метод сопоставлений-см. Если равенство Захариасена связывает самые яркие отражения, положительный знак приписывается структурному произведению без особых статистических подтверждений. [21]
Прямой путь означает попытку определения начальных фаз отдельных отражений, исходя из соотношений между их интенсивностями. Косвенный ( обходной) состоит в получении некоторых конкретных данных о расположении самих атомов и на этой основе - при помощи алгебраической формулы структурной амплитуды ( 1) - в определении начальных фаз a. [22]
Сознание словно привязывается к некоторым определенным точкам материи, цепляется за них. Для таких наиболее важных точек сознание создает и запоминает отдельные отражения, образы. [23]
С исследуемых проб получены рентгенограммы на аппарате УРС-60, а отдельные отражения зарегистрированы на дифрактометре ДРОН-1 с использованием монохроматизированного Си Ко. [24]
Число экспериментальных работ, относящихся к динамическому рассеянию, чрезвычайно ограниченно. Характерной чертой динамической теории служит необходимость знания атомной структуры исследуемого кристалла при вычислении структурных амплитуд отдельных отражений. Та-кие расчеты отличаются сложностью и выполняются с помощью ЭВМ подчас с затратой, большого машинного времени. [25]
Из разложений типа рядов Борна [ см. (1.16) или (1.17) ] видно, что R входит во второй, третьей и более высокой степенях в члены двойного, тройного и многократного рассеяния, которое, следовательно, становится все более важным с увеличением напряжения. Если эти члены не все одного знака, может существовать напряжение, при котором интенсивность отдельного отражения стремится к нулю. Это часто наблюдалось в относительно простых случаях, включающих взаимодействия только систематического ряда отражений для некоторых несложных кристаллических структур, и использовалось для получения соотношения между структурными амплитудами и отсюда - точных значений для отдельных структурных амплитуд. [26]
Затем в таблицах выбирают те пространственные группы, относящиеся к данной трансляционной группе, для которых характерно найденное выпадение отражений. Это упрощает отыскание координат атомов в элементарной ячейке, которое производится на основании соотношения интенсивностей отдельных отражений. [27]
Если рассматривать различные последовательности эхо-импульсов от слоя, появляющиеся по аналогии с рис. 16.22, заново от каждого эхо-импульса от задней стенки, то их амплитуда не должна постоянно ( монотонно) уменьшаться, а может иметь характерные максимумы, положение которых зависит от коэффициента отражения слоя. На рис. 16.23 схематически показана такая картина отражений ( эхо-импульсов), а также иллюстрируется возникновение отдельных отражений, каждое из которых характеризуете тремя параметрами. Так как импульс при попадании на слой каждый раз расщепляется на прошедшую и на отраженную составляющие, по мере увеличения числа многократных отражений он распадается на все более многочисленные составляющие импульсы. Три характерных параметра одного такого составляющего импульса показывают, как часто он проходит всю пластину или оба участка толщины пластины выше и ниже слоя. Таким образом почти все эхо-импульсы складываются из нескольких составляющих с одинаковым суммарным путем прохождения звука. Они изображаются на экране рядом друг с другом. Каждая из шести составляющих может быть найдена по схеме пути прохождения импульса, показанной под экраном. На рис. 16.23 видно, что эхо-импульсы одной серии - в пределах такой серии параметры одинаковы вплоть до первого-сначала увеличиваются по амплитуде и только после достижения некоторого максимума снова уменьшаются. [29]
Хотя приборов для непосредственной регистрации начальной фазы электромагнитной волны не существует, разработано несколько методов, позволяющих оценивать начальные фазы отдельных отражений путем изменения условий эксперимента. [30]
Страницы: 1 2 3