Cтраница 3
Вследствие облучения полупроводника электронами, энергия которых значительно больше запрещенной зоны, возникает ионизация атомов и генерация электронно-дырочных пар. Среднее количество электронно-дырочных пар, генерируемых одним быстрым электроном, зависит от его-энергии и ширины запрещенной зоны полупроводника. Разброс средней энергии генерации одной пары носителей, полученный в разных исследованиях, можно объяснить отсутствием единообразия в. [31]