Отсутствие - резистор - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 3
Не волнуйся, если что-то работает не так. Если бы все работало как надо, ты сидел бы без работы. Законы Мерфи (еще...)

Отсутствие - резистор

Cтраница 3


31 Схема проводного И с развязкой входных цепей.| Характеристики Увы инвертора. [31]

Длительность переходных процессов зависит от тока инжектора. При малых токах инжектора она определяется лишь емкостями переходов транзисторов и металлизации соединений. Отсутствие резисторов в цепях связи, малые напряжения питания и перепада уровней сигнала приводят к существенному снижению задержек по сравнению с РТЛ и НСЛ схемами. При больших токах необходимо учитывать эффекты накопления и рассасывания неосновных носителей заряда в базе и в эмиттере. Особенность схемы с инжекционным питанием заключается в том, что процессы накопления и рассасывания происходят относительно медленно.  [32]

Через резистор RC2 излишек электронов стекает на землю и не нарушает режима работы лампы. При отсутствии резистора RC2 электроны, скапливаясь на сетке создали бы на ней отрицательный потенциал, который мог бы запереть лампу.  [33]

Одной из разновидностей схем последовательного питания является трехкаскадный усилитель, приведенный на рис. 2.25. С точки зрения стабилизации коллекторного тока он имеет все преимущества рассмотренных выше схем. Для него остаются справедли-вымй ф-лы (2.102), (2.103) и (2.105) соответственно для двухкас-кадных и многокаскадных усилителей. Несмотря на отсутствие резисторов в коллекторных цепях транзисторов в схеме рис. 2.24, эта схема и схема усилителя, изображенная на рис. 2.25, эквивалентны в отношении температурных изменений коллекторных токов. Это обусловлено тем, что вследствие большого дифференциального сопротивления коллектор - эмиттер сравнительно небольшие по величине сопротивления, включенные в коллекторную цепь транзистора и не входящие в цепь обратной связи, на стабильность режима работы каскада практически не влияют.  [34]

Если сигнал поступает на вход усилителя через трансформатор ( рис. 1.2, а), то роль резистора Rc выполняет вторичная обмотка трансформатора, обладающая некоторым активным сопротивлением. Если же сигнал поступает на вход усилителя через конденсатор ( рис. 1.2, б), то при отсутствии резистора Rc потенциал сетки лампы определяется падением напряжения от сеточного тока на сопротивлении изоляции сетка - катод лампы. Потенциал сетки при этом уже не определяется источником смещения Ес, поскольку конденсатор С0 не пропускает постоянное напряжение смещения на сетку. Нормальный режим работы усилителя нарушается. Следовательно, резистор Rc в этом случае необходим.  [35]

Как указывалось выше, в ламповых каскадах, работающих в режиме В, отрицательное смещение на управляющие сетки ламп желательно подавать от отдельного выпрямителя смещения. Выпрямитель необходимо нагрузить на резистор, создающий ток. Этот резистор обеспечивает путь сеточным токам, заряжающим выходной конденсатор фильтра выпрямителя смещения при случайной перегрузке усилителя чрезмерным входным сигналом; при отсутствии резистора отрицательное смещение на сетках в этих условиях возрастет и каскад будет работать в режиме С, что недопустимо.  [36]

Рассмотренные примеры показывают, что ЛЭ на МДП-структурах проще, чем на биполярных, и содержат меньшее число транзисторов. Это обусловлено тем, что МДП-транзистор имеет бесконечное входное сопротивление и управляется напряжением, а не током. Дополнительные преимущества, проявляющиеся в других схемах, связаны с симметрией транзистора - он может пропускать ток в обоих направлениях и действовать как двунаправленный ключ ( примеры такого применения даны в гл. Эти достоинства вместе с отмеченными особенностями топологии ( совмещение нескольких транзисторов, использование слоев поликремния в качестве соединений, отсутствие резисторов) и малой площадью транзисторов позволяют достигнуть высоких плотности элементов и степени интеграции.  [37]

Использование многоэмиттерного транзистора позволяет микро-ми ни атюризировать каскад И. Это объясняется наличием единой базы для всех p - n - переходов МЭТ, а также малой толщиной базы. В данном случае ток / Ко2 транзистора Т2 отсасывается через коллектор транзистора Ti, и необходимость в базовом резисторе для Т2 отпадает. Отсутствие резистора позволяет еще более сократить площадь, занимаемую логическим элементом.  [38]

Разряд переполнения управляется в 64 - м компараторе напряжения и служит для индикации превышения аналоговым сигналом верхнего значения диапазона входного напряжения и для параллельного включения нескольких АЦП для увеличения числа разрядов. Работой АЦП управляет тактовый сигнал. Выборка производится при низком уровне тактового сигнала. При положительном фронте тактового сигнала компараторы стробируются и через время Тпр появляется на выходе АЦП код, соответствующий значению аналогового сигнала. Из-за отсутствия выходного резистора в АЦП часть периода тактирования код на выходах неопределен. Длительность времени, когда код неопределен, равно длительности режима выборки ( тактовый сигнал - низкий уровень), только по времени сдвинуто на время fnp. БИС построены по полностью параллельной схеме и не требуют внешних схем выборки - хранения.  [39]

Улучшение быстродействия при одновременном снижении мощности можно получить, применяя в логических ключах принцип дополнительной симметрии. В таких схемах вместо коллекторных ( сто-ковых) резисторов используются транзисторы противоположного типа проводимости. В статическом состоянии из двух последовательно включенных транзисторов один всегда открыт, а другой заперт. При изменении полярности напряжения на входе ключа транзисторы меняют состояния. Благодаря отсутствию резисторов схема имеет низкое выходное сопротивление. В схемах с дополнительной симметрией мощность потребляется только во время переключения транзисторов. Для получения низкой мощности переключения напряжение питания Еп следует снижать до минимально возможной величины. При определении минимального Еи следует учесть, что пороговое напряжение для МОП-транзисторов с - каналом обычно меньше порогового напряжения транзисторов с р-каналом. Для большинства практических случаев, когда основными требованиями остаются стабильность и быстродействие схемы, Еа должно быть значительно выше порогового напряжения МОП-транзистора с р-каналом.  [40]



Страницы:      1    2    3