Отсутствие - смещение - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 3
Ты слишком много волнуешься из-за работы. Брось! Тебе платят слишком мало для таких волнений. Законы Мерфи (еще...)

Отсутствие - смещение

Cтраница 3


Последние два условия в (V.76) предполагают отсутствие ВЧ смещений на входе в систему.  [31]

Однако значение массы, полученное в отсутствие смещения иа подложке, вело себя диаметрально противоположным, нежели в [1657, 1658], образом, возрастая с ростом - Ns. Была определена эффективная масса при различных значениях магнитного поля, уровня легирования подложки и смещения на ней, а также при различной плотности заряда в окисле. Выводы авторов оказались малоутешительными: зависимости полученных значений массы от уровня легирования и от смещения иа подложке были взаимно противоречивыми. Если бы возрастание эффективной массы было связано с внутренними причинами, такими, как электрон-электронные взаимодействия, то для одного и того же No6em должны были бы получаться одинаковые значения массы. Полученные же результаты заставляют думать, что значения эффективных масс, получаемые из анализа осцилляции Шубникова - де Гааза, зависят от природы рассеивателей в системе. Этот факт был продемонстрирован путем изменения заряда в окисле. Для малой плотности этого заряда поведение эффективной массы было аналогично наблюдавшемуся в работах [ 1 § 57, 1658 ], в то время как в условиях заметного рассеяния на заряде в окисле зависимость массы от Ns имела обратный знак.  [32]

Как было видно выше, при отсутствии смещения диффузионные токи электронов и дырок в точности уравновешивались дрейфовыми токами ipd и ind электронов и дырок.  [33]

34 Конструкция крепления колонн. [34]

Конструкция соединения колонн с поперечинами должна обеспечить отсутствие смещения сопрягаемых деталей, удобство изготовления и монтажа.  [35]

В однородном случае они выражают либо требование отсутствия краевого смещения в заданном линейном или угловом направлении, либо - требование обращения в нуль краевых приведенных сил и моментов определенного направления. В некоторых случаях направления, для которых формулируются идеализированные граничные условия, можно разделить на тангенциальные и нетангенциальные. Под первыми подразумеваются линейные направления, параллельные касательной плоскости, а под вторыми - линейное направление нормали и направление угла поворота. Тогда будем говорить, что идеализированные граничные условия разделяются на тангенциальные и нетангенциальные. В дальнейшем выяснится, что возможность такого разделения оказывает существенное влияние на характер напряженного состояния оболочки.  [36]

37 Реверсивные магнитные усилители с внешней обратной связью. [37]

Характеристики на рис. 24.10, а соответствуют отсутствию смещения.  [38]

В этом случае, как и при отсутствии смещения, реле работает в режиме инвертора.  [39]

Для определения теоретического коэффициента концентрации напряжений при отсутствии смещения кромок в сварном стыковом соединении в работе [145] предложена расчетная зависимость.  [40]

После разборки машины проверяют состояние активной стали, отсутствие смещения листов и распушения пакетов статора, якоря и сердечников полюсов, состояние пазов статора ( или якоря возбудителя), отсутствие выступающих листов, наплывов и неровностей внутри пазов, исправность коллектора и контактных колец.  [41]

При двухниточном бандажировании получается значительный технологический эффект - отсутствие смещения межфазовой изоляции. Неподвижность изоляции объясняется двумя причинами: значительным уменьшением воздействия игольной нити, которая натянута слабее, чем при однониточном стежке; наличием на торце статора сильно натянутой петлительной нити, которая препятствует сдвигу межфазовой изоляции.  [42]

В реальном случае изгиб зон в полупроводнике при отсутствии смещения может определяться не только кислородными вакансиями в окисле, но и положительными ионами примеси в нем.  [43]

Именно при условии плоских зон в МОП-конденсаторе ( в отсутствие смещения) и рассчитывается так называемая теоретическая С - V-кривая.  [44]

Именно при условии плоских зон в МОП-конденсаторе ( в отсутствие смещения) и рассчитывается так называемая теоретическая С - V-кривая. В области обогащения С С Csi и выражение (13.11) переходит.  [45]



Страницы:      1    2    3    4